时间：2025/6/27 12:26:27
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IPB120N06NG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于各种电力电子设备中。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术 (SMT) 的应用。
这款功率 MOSFET 主要用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域中的高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动电路等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1950pF
功耗：28W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPB120N06NG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升高频应用性能。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在过载条件下的可靠性。
4. 内置反向二极管，简化了设计并降低了成本。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 紧凑型表面贴装封装，节省 PCB 空间，便于自动化生产。
7. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
IPB120N06NG 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 各种类型的电机驱动器，例如步进电机、直流无刷电机 (BLDC) 和永磁同步电机 (PMSM) 的驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 汽车电子中的大功率负载控制，如电动座椅、电动车窗等。
6. LED 驱动器中的高效开关元件。
IPP120N06NP4G, IRFZ44N, FDP150AN
