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BZX79-C4V7,113 发布时间 时间:2025/9/14 15:02:05 查看 阅读:4

BZX79-C4V7,113 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),其标称齐纳电压为 4.7V,适用于电压参考和稳压应用。该器件采用 TO-92 封装,适用于广泛的工业和消费类电子设备。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:4.7V
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-92

特性

BZX79-C4V7,113 具有良好的电压稳定性,能够在较宽的电流范围内保持恒定的齐纳电压。其低动态阻抗特性确保了在负载变化时仍能提供稳定的电压输出。
  此外,该齐纳二极管具有快速响应时间,适用于需要快速电压调节的电路设计。TO-92 封装便于插件安装,适合通孔焊接工艺,提高了在 PCB 上的可靠性。
  该器件还具有较强的温度适应能力,能够在恶劣的温度条件下正常工作,确保电路的稳定性。其广泛应用于各类电子设备中的基准电压源、过压保护电路及稳压电源中。

应用

该器件广泛应用于需要电压参考或稳压功能的电路中,如电源管理模块、电池充电器、仪表测量设备、电压调节器以及各类工业控制系统。此外,BZX79-C4V7,113 还可用于信号处理电路中的限幅和钳位功能。

替代型号

BZX55C4V7, 1N4732A, BZX84-C4V7

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BZX79-C4V7,113参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大400mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装ALF2
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C