2VPPCB170 是一款由 Vishay Siliconix 制造的功率MOSFET,采用TO-263封装,适用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理和功率转换系统。
类型:功率MOSFET
漏源电压(Vds):200V
漏极电流(Id):170A
导通电阻(Rds(on)):0.0025Ω
封装:TO-263
2VPPCB170 MOSFET具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中具有极低的功率损耗和发热。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的开关性能和热稳定性。此外,2VPPCB170具有高雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其封装设计提供了良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高效率的功率电子设备。该MOSFET适用于高频开关应用,能够在高温环境下正常工作,且具有较长的使用寿命和稳定性。
在设计方面,2VPPCB170优化了内部结构,减少了寄生电感和电容,从而提高了整体性能。它还具有较低的栅极电荷(Qg),这有助于降低开关损耗并提高系统的效率。这些特性使其成为高功率DC-DC转换器、电源供应器、电动车辆驱动系统和工业自动化设备中的理想选择。此外,该器件的封装符合RoHS标准,适合环保应用。
2VPPCB170 MOSFET常用于高性能电源管理系统,如高功率DC-DC转换器、电源供应器、电动车辆的电机驱动系统以及工业自动化和控制系统。其高电流承载能力和低导通损耗使其成为高效能、高可靠性应用的理想选择。
IRFP4468, IPPB170N20N3, IPW60R025C6