BZX79-A5V6 时间：2025/12/27 21:27:15 阅读：13

BZX79-A5V6是一款常见的硅齐纳二极管，属于BZX79系列，广泛应用于电压参考和稳压电路中。该器件设计用于在反向击穿区域工作，提供稳定的参考电压，其标称齐纳电压为5.6V，容差为±5%。BZX79-A5V6采用传统的轴向引线DO-35封装（也称为玻璃封装），具有良好的热稳定性和可靠性，适用于通孔插装（THT）工艺。该器件由多个半导体制造商生产，如NXP、STMicroelectronics、ON Semiconductor等，尽管不同厂家的工艺略有差异，但其电气特性和封装形式保持兼容。由于其稳定的电压特性和较低的成本，BZX79-A5V6常用于模拟电路中的基准源、电源稳压、过压保护以及信号电平钳位等场景。该器件的工作结温范围通常为-65°C至+175°C，能够在较宽的环境温度下稳定工作。其最大耗散功率为500mW，在适当的散热条件下可长时间运行。BZX79-A5V6的动态电阻较低，尤其在5.6V附近，这一电压点恰好接近硅材料的零温度系数点（约5.6V），因此其温度稳定性优于其他电压值的齐纳二极管，是需要低温度漂移参考电压的理想选择之一。此外，该器件在小电流下仍能维持较好的稳压性能，适合低功耗应用场合。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：5.6V
　　电压容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　动态阻抗（Zzt）：10Ω（典型值）
　　温度系数：+2mV/°C（典型值）
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：DO-35（玻璃轴向）
　　反向漏电流（IR）：5μA（最大值，VR = 1V）
　　最大峰值脉冲电流：未指定（适用于连续直流稳压）
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

特性

BZX79-A5V6的核心特性之一是其在5.6V齐纳电压下的优异温度稳定性。与其他齐纳电压相比，5.6V附近的硅齐纳二极管具有接近零的温度系数，这是因为在此电压下，齐纳击穿机制与雪崩击穿机制的温度效应相互抵消。具体来说，低于5V的齐纳二极管主要依赖隧道击穿，具有负温度系数；而高于7V的则以雪崩击穿为主，具有正温度系数。5.6V正好处于两者过渡区域，使得整体温度漂移最小，典型值约为+2mV/°C，这使其成为高精度模拟电路中理想的电压参考源。该特性在长期运行或环境温度波动较大的应用中尤为重要。
　　另一个关键特性是其低动态阻抗。在标准测试电流5mA下，BZX79-A5V6的动态阻抗典型值为10Ω，这意味着当通过它的电流发生微小变化时，其两端电压的变化非常小，从而保证了输出电压的稳定性。这种低阻抗特性使其在负载变化或输入电压波动的情况下仍能维持较为恒定的参考电压，适用于需要高稳定性的稳压电路。
　　该器件还具备良好的长期稳定性与可靠性。由于采用成熟的硅工艺和玻璃封装，BZX79-A5V6在正常工作条件下表现出较低的老化速率，电压漂移小。其DO-35封装虽然体积较小，但具有足够的机械强度和热耐受能力，适合多种工业和消费类电子设备。此外，该器件在低电流（如1-10mA）范围内即可有效工作，适合电池供电或低功耗系统。虽然其最大功率为500mW，需注意在高温环境下降额使用，但在大多数常规应用中无需额外散热措施。

应用

BZX79-A5V6广泛应用于需要稳定参考电压的电子电路中。最常见的用途是作为线性稳压器或分立式稳压电路中的基准电压源，例如与晶体管配合构成简单的串联稳压电源，为微控制器、传感器或其他低压器件提供稳定供电。由于其5.6V的输出电压接近TTL和CMOS逻辑电路的中间电平，也可用于电平转换或信号钳位电路，防止输入信号超出安全范围，起到保护作用。
　　在模拟电路设计中，该器件常用于运算放大器的偏置电路或反馈网络中，提供精确的参考电平，确保放大器工作点稳定。此外，在电源监控电路或电压检测电路中，BZX79-A5V6可作为比较器的参考电压输入，用于判断系统电压是否处于正常范围。在测量仪器和数据采集系统中，其低温度漂移特性有助于提高系统的长期精度和重复性。
　　该器件也常用于过压保护设计。通过将BZX79-A5V6并联在敏感元件两端，可在电压异常升高时导通泄放电流，限制电压上升，保护后续电路。虽然其响应速度不如TVS二极管快，但在低频或直流系统中仍是一种经济有效的保护方案。此外，由于其成本低廉、易于获取，BZX79-A5V6在教育实验、原型开发和维修替换中也被广泛使用，是电子工程师常用的通用型齐纳二极管之一。