BZV55C75 时间：2025/12/27 21:07:51 阅读：14

BZV55C75是一款硅平面稳压二极管，属于BZV55系列，专为电压调节和电压参考应用设计。该器件采用标准DO-35封装（轴向引线玻璃封装），具有良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于各种低功率电子电路中。BZV55C75的标称稳压值为7.5V，在规定的测试电流条件下能够提供稳定的输出电压，适用于需要精确电压钳位或基准电压源的场合。该系列二极管通过掺杂工艺控制击穿电压，确保在反向击穿区工作时具有较低的动态阻抗和较小的电压波动。BZV55C75的工作原理基于齐纳击穿效应，当施加的反向电压达到其额定稳压值时，二极管进入导通状态，维持电压基本恒定，从而实现对后续电路的保护或提供稳定的参考电平。由于其结构简单、成本低廉且性能可靠，BZV55C75常用于电源管理、信号调理、过压保护以及模拟电路中的偏置设置等场景。此外，该器件符合工业级温度范围要求，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适合多种环境条件下的使用需求。制造商通常会对该型号进行严格的筛选和测试，以保证其电气参数的一致性和长期稳定性。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：DO-35（玻璃轴向）
　　标称稳压值：7.5 V
　　容差：±5%
　　测试电流 (Iz)：5 mA
　　最大稳态正向电流：50 mA
　　最大耗散功率：500 mW
　　最大反向漏电流：5 μA（在额定电压的80%下）
　　动态阻抗（Zzt）：≤35 Ω（在Iz = 5mA时）
　　温度系数：+2 mV/°C（典型值）
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C

特性

BZV55C75稳压二极管具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持稳定的输出电压，适用于高精度的电压参考设计。其核心特性之一是低动态阻抗，在额定测试电流5mA下，动态阻抗不超过35Ω，这意味着即使负载电流发生小幅波动，稳压值的变化也非常小，有助于提高系统的稳定性与精度。此外，该器件具有较陡峭的反向击穿曲线，表现出良好的齐纳击穿特性，能够在电压略微超过7.5V时迅速导通并限制电压上升，有效防止后级电路受到过压冲击。BZV55C75的电压容差为±5%，即实际稳压值在7.125V到7.875V之间，这一精度对于大多数非精密但要求一定稳定性的应用已经足够。该二极管采用硅平面制造工艺，提升了器件的均匀性和长期可靠性，同时减少了参数漂移的可能性。其DO-35封装形式便于手工焊接和PCB布局，尤其适合通孔安装方式的应用场景，并且具备一定的机械强度和散热能力。尽管最大功耗仅为500mW，但在自然对流散热条件下仍可支持持续工作于额定电流附近。值得注意的是，该器件的温度系数为正值（约+2mV/°C），表明随着温度升高，稳压值略有上升，这与其他一些低压齐纳二极管（如5V以下）呈现负温度系数形成互补，因此在某些温度补偿电路中可以与其他元件配合使用以实现更平坦的温度响应。此外，BZV55C75具有较低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导电，确保了电路在正常工作状态下的低功耗表现。整体而言，这款稳压二极管以其性价比高、性能稳定、易于获取等优势，成为许多消费类电子、工业控制和通信设备中不可或缺的基础元器件。
　　

应用

BZV55C75广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的低功率电子系统中。常见用途包括作为线性电源中的电压基准，用于比较器、运算放大器电路中的偏置电压设定，以及在ADC/DAC转换器中提供稳定的参考电平。此外，它也常被用作信号电平钳位器件，防止敏感输入端口因瞬态高压而损坏，例如在音频接口、传感器信号调理电路中起到保护作用。在数字逻辑电路中，该稳压管可用于电平转换或噪声抑制，特别是在TTL或CMOS电路供电不稳定时提供局部稳压。由于其响应速度快，也可用于简单的浪涌抑制和ESD防护设计。另一个重要应用场景是在反馈式开关电源中作为初级侧的辅助稳压元件，监测输出电压并通过光耦传递信号以调节主控IC的工作状态。此外，在测量仪器、电池充电管理模块、LED驱动电路中，BZV55C75也能发挥其稳压功能，确保关键节点电压恒定。由于其工作电流较低（典型测试电流为5mA），特别适合用于静态功耗敏感的设计。在维修和替代设计中，该型号也常被工程师选用作为通用7.5V稳压解决方案。得益于其标准化封装和广泛供货渠道，BZV55C75在原型开发、教学实验和小批量生产中均具有很高的实用价值。