BZV55-B43,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压应用。该器件属于 BZV55 系列,采用 SOD80 表面贴装封装,适合在各种电子电路中使用。BZV55-B43,115 的齐纳电压为 4.3V,在额定电流下具有良好的稳定性和较低的动态电阻。该器件广泛应用于电源管理、参考电压源、过压保护电路等领域。
型号: BZV55-B43,115
类型: 齐纳二极管
齐纳电压 Vz @ Izt: 4.3V @ 5mA
最大耗散功率 Ptot: 300mW
封装类型: SOD80
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
存储温度范围: -55°C 至 +150°C
引脚数: 2
最大齐纳电流 Izmax: 70mA
最大反向漏电流 Ir @ Vr: 100nA @ 2.8V
最大动态电阻 Zz @ Iz: 30Ω @ 5mA
BZV55-B43,115 是一款性能稳定、可靠性高的齐纳二极管,专为精密电压调节设计。
首先,其齐纳电压为 4.3V,在额定测试电流(Izt = 5mA)下表现出良好的稳定性和重复性,适合用于参考电压源或稳压电路。
其次,该器件的最大耗散功率为 300mW,能够在相对较高的电流下工作,适用于多种电源管理应用场景。其最大齐纳电流为 70mA,确保在宽电流范围内仍能维持稳定的电压输出。
再者,BZV55-B43,115 的动态电阻较低,典型值为 30Ω,这意味着在负载变化时电压波动较小,有助于提高电路的稳定性。
此外,该器件的封装为 SOD80,这是一种表面贴装封装,适合自动化装配和小型化电路板设计,具有良好的热稳定性和机械强度。
最后,BZV55-B43,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车级环境,具备良好的耐温性能和长期可靠性。
BZV55-B43,115 主要用于需要稳定电压源的电子电路中,适用于多种应用场景。
在电源管理方面,该器件可作为基准电压源,用于线性稳压器、DC-DC 转换器或电池充电电路中的电压参考,确保输出电压的稳定性和精度。
在过压保护电路中,BZV55-B43,115 可用于限制输入电压,保护后续电路免受过高电压的影响,常见于传感器、接口电路和数据通信设备中。
此外,该器件也可用于模拟电路中的参考电压生成,例如在运算放大器电路、电压比较器或 ADC/DAC 转换器中提供稳定的基准电压。
由于其表面贴装封装和工业级温度范围,BZV55-B43,115 也广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子和通信设备等领域。
BZV55B43-GS18, BZV55-B43,133, MM5Z4V3B, MMSZ4639T1G