BZV55-B3V3,115 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件属于 BZV55 系列,具备低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要精确电压参考的电路设计。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:3.3V
容差:±5%
最大齐纳电流:200mA
功率耗散:300mW
封装形式:SOD80(SMT)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
动态阻抗:最大 25Ω
BZV55-B3V3,115 具备多个关键特性,使其适用于广泛的电子电路应用。首先,其标称齐纳电压为 3.3V,容差为 ±5%,确保在不同工作条件下仍能提供稳定的电压参考。这种高精度特性使其非常适合用于模拟电路、电源管理模块和参考电压源。
其次,该器件的最大齐纳电流为 200mA,能够在较高的负载条件下维持稳定的电压输出,增强了其在各种电路中的适用性。同时,300mW 的功率耗散能力使其在紧凑的电子设备中也能可靠运行。
此外,该齐纳二极管采用 SOD80 表面贴装封装,适用于自动化装配工艺,提升了生产效率和可靠性。SMT 封装也有助于减少 PCB 空间占用,适合高密度电路设计。
在环境适应性方面,BZV55-B3V3,115 可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车电子应用。其动态阻抗最大为 25Ω,有助于减少电压波动,提高电路稳定性。
BZV55-B3V3,115 广泛应用于需要电压调节和参考电压的电子电路中。常见的应用包括电源稳压电路、模拟和数字电路的参考电压源、过压保护电路以及电池管理系统。此外,由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗,该器件也常用于工业控制设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中,以确保电路的稳定性和可靠性。
BZV55C3V3-TP, BZX84C3V3LT1G, BZV55-B3V3-7