H9CCNNNBLTML是三星(Samsung)生产的一款LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)内存芯片,常用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能要求较高的设备。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有高带宽、低功耗和高集成度的特点。
类型:LPDDR4 SDRAM
容量:通常为4GB或8GB(具体取决于具体版本)
封装:BGA
工作电压:1.1V/1.8V(双电源供电)
时钟频率:最高可达1600MHz
数据速率:最高可达3200Mbps(LPDDR4x)
数据总线宽度:x16
工作温度范围:-40°C至+85°C
制造工艺:先进制程工艺(如20nm或更先进)
H9CCNNNBLTML作为三星LPDDR4系列内存芯片的一员,具备多项先进的技术特性。首先,其采用了LPDDR4标准,具有更高的数据传输速率和更低的功耗,适用于高性能移动设备。相比LPDDR3,LPDDR4的电压由1.2V降低至1.1V,同时支持更高频率的数据传输,从而显著提升能效比。
其次,该芯片采用x16位宽架构,提供更高的带宽利用率,适用于需要大量数据处理的应用场景,如高清视频播放、多任务处理、大型游戏运行等。此外,H9CCNNNBLTML还集成了先进的电源管理技术,支持多种低功耗模式,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power Down)等,以进一步优化系统功耗。
该芯片的封装形式为BGA,具有良好的电气性能和热管理能力,适用于高密度PCB布局设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下都能稳定运行,适用于工业级和消费级应用场景。
在兼容性方面,H9CCNNNBLTML可与多种SoC(系统级芯片)平台配合使用,如高通骁龙系列、三星Exynos系列、联发科天玑系列等主流移动处理器,广泛用于旗舰级智能手机和平板电脑中。
H9CCNNNBLTML广泛应用于高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统、嵌入式计算设备、工业控制设备等领域。其高带宽、低功耗和小尺寸特性使其成为现代高性能移动设备的理想内存解决方案。典型应用包括搭载最新移动处理器的旗舰手机,如三星Galaxy S系列、Google Pixel系列、OnePlus旗舰机型等,这些设备通常要求大容量、高速内存以支持流畅的多任务处理和图形性能。
此外,该芯片也可用于高性能平板电脑、笔记本电脑、ARM架构的服务器模块,以及需要高效能内存的AI加速器、边缘计算设备和智能摄像头等新兴应用领域。其稳定的性能和广泛的兼容性也使其成为OEM厂商和系统集成商的首选内存芯片之一。
H9HKNNNCSMMC、H9HCNNNCTMMH、H9CPCPCBTTMLS0、H9CKNNNBU0JAR0