时间：2025/8/13 13:33:27
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BZV49C4V3是一种齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压应用。该器件具有稳定的击穿电压和低动态阻抗，适用于各种电子电路中的稳压功能。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：4.3 V（在测试电流为Iz时）
最大齐纳电流：200 mA
最大耗散功率：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DO-41（轴向引线封装）
动态阻抗：约10 Ω（典型值）
BZV49C4V3是一款性能优良的齐纳二极管，其主要特性包括稳定且精确的击穿电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性。该器件在反向击穿状态下能保持电压基本不变，适用于电压参考和稳压电路。BZV49C4V3的封装形式为DO-41，具有良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，该器件的响应速度快，适用于需要快速电压调节的应用场合。
BZV49C4V3的最大耗散功率为300 mW，可在最大齐纳电流为200 mA的情况下正常工作。其动态阻抗较低，确保了在负载变化时输出电压的稳定性。该器件还具有良好的长期稳定性和抗干扰能力，适用于高精度的电子系统。
BZV49C4V3广泛应用于各种电子设备中的电压调节和参考电压生成。典型应用包括电源稳压电路、电压参考源、电池充电器、电压监测电路以及模拟和数字电子系统的基准电压生成。此外，该器件也可用于保护电路中的过压保护功能。
BZV49C4V7, BZX84C4V3, 1N4735A
