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BZT52H-C3V0,115 发布时间 时间:2025/9/14 9:53:59 查看 阅读:3

BZT52H-C3V0,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分拆出的公司)生产的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管)。该器件主要用于电压调节、信号钳位和参考电压应用。其设计适用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制系统。该齐纳二极管具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  功率:300 mW
  齐纳电压:3.0 V
  容差:±2%
  最大齐纳电流:200 mA
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOD-323
  引脚数:2
  动态阻抗:最大100 Ω
  漏电流(VR):最大100 nA

特性

BZT52H-C3V0,115 采用先进的硅工艺制造,具备优异的稳压性能和长期稳定性。其低动态阻抗确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压,非常适合用于敏感的模拟和数字电路中的参考电压源。
  该器件的±2% 的电压容差保证了在不同工作条件下的高精度稳压能力。其SOD-323小型封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械强度,适合自动化装配流程。
  此外,BZT52H-C3V0,115 具有良好的温度系数,典型值为 -2 mV/°C,在宽温度范围内仍能保持稳定的电压特性。该器件的快速响应时间也使其适用于瞬态电压抑制和信号钳位保护电路。
  由于其低漏电流(在反向截止状态下最大为100 nA),该齐纳二极管在低功耗应用中表现出色,有助于延长电池供电设备的续航时间。

应用

BZT52H-C3V0,115 主要用于以下应用场景:在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为电压参考源或稳压元件;在电源管理电路中用于提供精确的参考电压,以确保ADC、DAC和其他模拟电路的准确性;在工业控制系统中作为信号钳位和过压保护元件;在数据通信设备中用于保护接口电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压的损害;在传感器电路中用于稳定供电电压,提高测量精度;还可用于LED驱动电路、电池充电器和低噪声放大器等需要稳定电压的场合。

替代型号

BZT52C3V0, BZT52H-C3V0-7, BZT52H-C3V0-215

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BZT52H-C3V0,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大375mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)95 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C