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BZT52H-C12,115 发布时间 时间:2025/9/14 20:43:40 查看 阅读:27

BZT52H-C12,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)生产的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),属于BZT52H系列。该系列二极管采用SOD-123FL封装,具有低动态阻抗和快速响应时间的特点,适用于需要稳定电压的电子电路中。BZT52H-C12的标称齐纳电压为12V,适合用于电压调节、参考电压源和过压保护等应用。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  封装:SOD-123FL
  最大耗散功率:300mW
  齐纳电压范围:12V(标称值)
  齐纳电流(Iz):5mA(测试电流)
  动态阻抗(Zzt):最大约100Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

BZT52H-C12,115 的主要特性包括其低动态阻抗,这有助于提供更稳定的输出电压,即使在负载变化的情况下。其SOD-123FL封装设计使得该器件非常适合在空间受限的PCB布局中使用。此外,该齐纳二极管具有较高的稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电压特性。器件的快速响应时间使其适用于需要快速电压调节的应用。此外,BZT52H-C12具有良好的温度系数,可以在不同温度条件下保持较低的电压漂移,确保电路的稳定性。
  该器件的额定功耗为300mW,在适当的散热条件下可以提供稳定的电压调节。齐纳电流测试条件为5mA,确保在典型应用中的稳定工作。BZT52H-C12的封装符合RoHS标准,适用于无铅焊接工艺,适合现代电子制造的要求。

应用

BZT52H-C12,115 主要用于需要稳定电压的电子电路中,例如电源管理模块、电压参考源、过压保护电路、信号调节电路等。由于其低动态阻抗和良好的温度稳定性,该器件特别适合用于精密模拟电路和数字控制电路中的电压基准。此外,该齐纳二极管也常用于电池供电设备、工业控制系统、通信设备以及消费类电子产品中的电源部分。

替代型号

BZT52C12-7-F(Diodes Inc.); MMSZ5249B-13-F(Diodes Inc.); 1N4742A-TR(ON Semiconductor)

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BZT52H-C12,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大375mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称568-3754-6