时间：2025/8/24 21:54:05
阅读：7
D10U150S 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效率和高性能的电子电路中。该器件采用了先进的沟道技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种电源管理和功率控制应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏极电压（VDSS）：150V
导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω @ VGS = 10V
栅极电压范围：±20V
功率耗散：60W
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
D10U150S MOSFET具有低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流处理能力（最大漏极电流为10A）和耐压能力（最大漏极电压为150V）使其适用于各种高功率应用场景。其快速开关特性也使得它在开关电源和电机控制电路中表现出色。TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装技术，便于PCB布局和自动化生产。
此外，D10U150S还具备较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了在高温和低温环境中都能正常运行。栅极电压范围为±20V，提供了更灵活的驱动选择，同时保护栅极免受过高电压的损害。60W的功率耗散能力进一步增强了其在高负载条件下的性能表现。
D10U150S 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高效的开关性能和良好的散热设计也使其成为汽车电子系统中电源管理应用的理想选择。
SiHF10N150E, FDPF10N150, IRFP150N
