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BZT52H-B2V4,115 发布时间 时间:2025/9/14 0:21:11 查看 阅读:10

BZT52H-B2V4,115 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductors)制造的稳压二极管(齐纳二极管),属于 BZT52H 系列。该系列二极管具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,适用于各种电压调节和参考电压应用。BZT52H-B2V4 的标称齐纳电压为 2.4V,采用 SOD-123 小型表面贴装封装,适合用于便携式电子设备和高密度 PCB 设计。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:2.4V
  容差:±2%
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOD-123
  动态阻抗(Zzt):约 90Ω
  反向漏电流(IR):≤ 100nA(在 VR=1V 时)

特性

BZT52H-B2V4,115 具备优异的电气性能和稳定性。其低动态阻抗(Zzt)确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压,适用于高精度参考电压源。±2% 的容差提供了良好的电压精度,适用于对电压稳定性要求较高的电路设计。该器件的最大齐纳电流为 200mA,允许在较宽的电流范围内使用,具有较强的负载适应能力。其 300mW 的最大耗散功率和小型 SOD-123 封装,使其在功耗与空间限制之间取得了良好的平衡。此外,该齐纳二极管具备较低的反向漏电流(IR),在 1V 反向电压下不超过 100nA,适用于低功耗电路设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。

应用

该齐纳二极管广泛应用于各种电子设备中的电压参考、电压调节和过压保护电路。常见应用包括电源管理电路、电池供电设备、电压监测系统、ADC/DAC 参考电压源、逻辑电平转换电路以及嵌入式控制系统中的稳压模块。由于其小型封装和优良的温度稳定性,特别适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业传感器和智能仪表。

替代型号

BZT52H-B2V4,215; BZT52C2V4; MMSZ5248B; 1N4728A

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BZT52H-B2V4,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大375mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)85 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称BZT52H-B2V4115