GMS87C1202D 是一款由韩国GSI Technology公司生产的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,主要用于高速数据存储应用。这款芯片采用高性能的CMOS技术制造,具有低功耗、高速存取和高稳定性等特点。GMS87C1202D 封装形式为塑料双列直插式封装(PDIP),适合用于各种需要高速缓存的应用场景,如通信设备、工业控制系统、计算机外围设备等。
容量:128K x 8位
电压范围:4.5V至5.5V
访问时间:10ns(最大)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:52引脚PDIP
接口类型:并行
功耗:典型值为120mA(待机模式下小于10mA)
时序控制:异步操作
输入/输出电平:TTL兼容
GMS87C1202D 采用高性能CMOS工艺制造,具有出色的稳定性和低功耗特性,即使在高频率操作下也能保持较低的功耗。该芯片的高速访问时间为10ns,适用于需要快速数据读写的应用。其异步接口设计简化了与微处理器和控制器的连接,而TTL兼容的输入/输出电平则增强了与其他数字电路的兼容性。
此外,GMS87C1202D 提供了宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业和恶劣环境下的使用。芯片还具有良好的抗干扰能力和高可靠性,适合在对稳定性要求较高的应用中使用。其52引脚PDIP封装形式便于手工焊接和调试,广泛应用于原型设计和小批量生产中。
为了提高系统性能,GMS87C1202D 支持全地址和数据缓冲,以减少访问延迟并提高数据吞吐量。同时,它还提供了芯片使能(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)等控制信号,便于实现复杂的内存管理功能。
GMS87C1202D 由于其高速和低功耗特性,广泛应用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、通信设备、工业自动化设备、测试仪器以及计算机外围设备等场景。例如,在通信领域,该芯片可以作为高速缓存来存储临时数据或指令;在工业控制系统中,它可以用于存储实时采集的数据或程序代码;在测试设备中,该芯片可作为临时存储介质用于数据采集和分析。此外,由于其工业级温度范围和高可靠性,GMS87C1202D 也常用于军事和航空航天领域的电子设备中。
IS61LV1288AL-10B4I、CY62148EVLL-45ZS、IDT71V128SA10PFG、MCM62C128A-10D