类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装形式：SOD-123
　　齐纳电压（Vz）：3.3V（在测试电流IZ为5mA时）
　　最大齐纳电流（IZmax）：200mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　反向漏电流（IR）：≤ 100nA（在VR=1V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2

BZT52C33 WR 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其齐纳电压精度高，通常在±5%以内，能够提供稳定的电压参考，适用于精密模拟电路和电源监控电路。其次，器件的动态阻抗（Zzt）非常低，这意味着在负载变化时，电压波动较小，提高了系统的稳定性。
　　此外，BZT52C33 WR采用SOD-123小封装形式，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。该封装具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高电流条件下仍能可靠工作。器件的反向漏电流非常低（通常小于100nA），在低功耗系统中尤为重要，有助于减少不必要的能量损耗。
　　该二极管还具备良好的温度稳定性，其电压温度系数在典型工作温度范围内保持在±10 ppm/°C左右，适合用于对温度敏感的应用场景，如传感器电路、基准电压源等。另外，BZT52C33 WR的可靠性高，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的电压调节和保护电路。

BZT52C33 WR 广泛应用于多种电子系统和模块中，尤其是在需要稳定电压参考或过压保护的场合。常见的应用包括：电源管理系统中的电压参考源；模拟和数字电路中的基准电压；电池供电设备中的低功耗稳压电路；工业控制系统的信号调理电路；通信设备中的电源监控和保护电路；汽车电子模块中的电压稳定和过压保护等。
　　由于其SOD-123封装的小尺寸特性，BZT52C33 WR也常用于便携式电子产品、智能穿戴设备和物联网（IoT）设备中。在这些应用中，空间限制较为严格，同时要求器件具备良好的稳定性和低功耗特性。此外，在LED驱动电路中，该器件也可用于提供稳定的参考电压以确保LED亮度的一致性。

BZT52C3V3S-7-F, MMSZ5233B-7-F, 1N4728A, SMBJ3.3A