类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　额定电压：5.6V
　　额定功率：200mW
　　最大耗散功率：200mW
　　最大工作电流：50mA
　　最大反向漏电流：100nA @ VR=1V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

BZT52B5V6S-T1 以其高精度和良好的温度稳定性著称。其齐纳电压在额定电流下保持在 5.6V，公差通常为 ±2% 或 ±5%，具体取决于型号后缀。该器件的低动态阻抗有助于在负载变化时维持稳定的输出电压，同时具备快速响应时间，适用于对电压波动敏感的电路。此外，SOD-123 封装体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，并且具备良好的热性能和机械强度。
　　该二极管采用无铅（RoHS 合规）工艺制造，符合现代电子产品对环保材料的要求。由于其低功耗特性，BZT52B5V6S-T1 可在无需散热片的情况下在多种环境中稳定工作。此外，该器件的反向漏电流极低，在低于击穿电压的工作条件下几乎不产生电流泄漏，有助于提高系统效率。

该齐纳二极管适用于各种电压参考和调节应用，包括但不限于电池供电设备中的电压监测、微处理器复位电路、电源管理模块、DC-DC 转换器、模拟电路中的基准电压源、过压保护电路以及工业控制系统中的传感器信号调理电路。由于其小尺寸和优异的电气性能，BZT52B5V6S-T1 也广泛应用于便携式设备、消费电子产品、通信模块和汽车电子系统中。

MMBZ52B5V6BLT1G、1N4734A-T, BZX84B5V6E6327、BZT52B5V6-7