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BZT52B56S 发布时间 时间:2025/12/27 8:31:32 查看 阅读:21

BZT52B56S是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的表面贴装小信号齐纳二极管,属于BZT52系列。该器件采用SOD-323封装,专为低功率稳压和电压参考应用设计,广泛用于便携式电子设备、电源管理电路以及各类需要稳定参考电压的模拟和数字系统中。BZT52B56S的标称齐纳电压为5.6V,具有较低的动态阻抗和良好的温度稳定性,适合在精密电压箝位和稳压场合使用。该器件通过精确控制掺杂浓度和结结构,实现了稳定的击穿电压特性,并具备快速响应能力,能够有效抑制瞬态电压波动。此外,SOD-323封装具有体积小、重量轻、热性能良好等优点,非常适合高密度印刷电路板布局和自动化贴片生产流程。BZT52B56S符合RoHS指令要求,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造标准。其工作温度范围通常为-55°C至+150°C,能够在严苛环境条件下保持可靠的电气性能。作为BZT52系列中的一个具体型号,BZT52B56S与其他同系列器件共享一致的封装形式与测试规范,便于用户进行产品选型与批量替换。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-323
  标称齐纳电压:5.6V
  容差:±5%
  额定功率:500mW
  最大齐纳电流:200mA
  动态阻抗(Zzt):35Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C
  正向电压(Vf):1.2V(最大值,If=10mA)
  反向漏电流(Ir):5μA(最大值,Vr=1V)
  测试电流(Iz):5mA

特性

BZT52B56S齐纳二极管的核心特性之一是其在5.6V电压下表现出优异的温度系数平衡性,这是由于在该电压附近,齐纳击穿机制与雪崩击穿机制相互补偿,导致整体温度系数接近于零。这种特性使得BZT52B56S特别适合作为基准电压源,在宽温度范围内保持输出电压的高度稳定性。其动态阻抗低至35Ω,在负载变化时能有效维持电压恒定,减少输出波动,提升系统精度。器件在5mA的测试电流下工作,确保了在低功耗应用中仍能实现稳定的电压调节效果。SOD-323封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,有助于将功耗产生的热量及时传导出去,防止因局部过热导致性能下降或损坏。该器件具有较高的可靠性,经过严格的寿命测试和环境应力筛选,可在高温、高湿及振动环境下长期稳定运行。其反向漏电流极低,在未达到击穿电压前几乎不导通,保证了信号路径的纯净性和电源效率。正向导通电压约为1.2V,允许其在某些双向保护电路中兼作普通二极管使用。BZT52B56S还具备快速响应时间,能在纳秒级时间内对电压突变做出反应,适用于需要瞬态电压抑制的场景。所有电参数均在严格控制的生产流程中进行测试,确保批次间一致性,降低客户在量产过程中的调试成本。该器件支持自动贴片安装,兼容回流焊和波峰焊工艺,适应现代化SMT生产线需求。
  此外,BZT52B56S符合AEC-Q101车规级认证的部分要求,可用于汽车电子中的非关键性稳压模块,如传感器供电、MCU参考电压生成等。其无铅设计和绿色环保材料符合当前环保法规趋势,助力终端产品通过国际环保认证。制造商提供完整的数据手册和技术支持文档,包括电压-电流特性曲线、温度系数图、功率降额曲线等,帮助工程师完成精确的电路设计与仿真验证。

应用

BZT52B56S广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见用途包括为微控制器单元(MCU)、ADC/DAC转换器、运算放大器等提供精确的电压基准,确保模拟信号处理的准确性。在电源管理系统中,它可用于低压线性稳压器的反馈网络,辅助实现输出电压的精准调节。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,由于其小型化封装和低功耗特性,常被用于电池电压监测电路或接口电平转换模块中的电压箝位。在工业控制领域,BZT52B56S可用于PLC输入模块的信号调理电路,防止外部感应电压损坏敏感逻辑器件。通信设备中的接口保护电路也常采用该器件,以吸收ESD静电放电或雷击感应引起的瞬态高压脉冲,提高系统的电磁兼容性(EMC)。在汽车电子系统中,可用于车载娱乐系统、车身控制模块、传感器偏置电源等非动力总成相关电路的稳压设计。此外,它还可作为分立式稳压电路的一部分,替代更复杂的集成稳压芯片,在成本敏感型设计中实现基本的电压钳位功能。在测试测量仪器中,BZT52B56S可用于校准电路或作为内部参考源,保障测量结果的一致性和重复性。其高稳定性和宽工作温度范围也使其适用于户外设备、医疗电子、智能家居等多样化的应用场景。

替代型号

PMBZ52B56,115; MMBZ52B56DHE3

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BZT52B56S参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor