时间：2025/9/30 5:01:16
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ZM18D703J4470是一款由Vishay Siliconix（威世硅基）推出的表面贴装瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应等）的影响而设计。该器件采用紧凑的MicroSMC封装，具有低电容特性，适用于高速数据线路的保护，例如USB接口、HDMI端口、以太网连接以及其他通信总线。ZM18D703J4470集成了多个TVS二极管，能够在不影响信号完整性的情况下提供双向或单向过压保护，确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。其结构设计使得它在正常工作电压下呈现高阻抗状态，而当出现超过击穿电压的瞬态高压时，迅速变为低阻抗状态，将浪涌电流旁路到地，从而钳位电压至安全水平。此外，该器件符合RoHS和无卤素要求，适合现代绿色电子产品制造工艺。由于其优异的响应速度（皮秒级）、低漏电流和高可靠性，ZM18D703J4470广泛应用于便携式消费类电子产品、工业控制设备、通信模块及汽车电子系统中的接口保护电路中。
型号：ZM18D703J4470
制造商：Vishay Siliconix
封装类型：MicroSMC
通道数：4
配置：4通道单向/双向可选
工作电压VRWM：18V
击穿电压VBR：20V（最小）
最大钳位电压VC：29.2V @ IPP = 1.8A
峰值脉冲功率Pppm：100W（8/20μs波形）
反向漏电流IR：≤1μA @ VRWM
电容值Cj：≤70pF @ 0V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
引脚数量：6
安装方式：表面贴装（SMD）
ZM18D703J4470具备出色的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于高能量吸收能力和快速响应时间，能够在纳秒级别内响应ESD冲击，有效防止瞬态高压对下游集成电路造成损伤。
该器件采用先进的硅结技术，确保了稳定的击穿电压和一致的钳位性能，在多次浪涌事件后仍能保持可靠的工作特性。
低动态电阻使其在导通状态下能够高效泄放大量瞬态电流，同时将钳位电压维持在较低水平，从而更好地保护后级芯片。
其低寄生电容（典型值低于70pF）保证了在高频信号传输路径上的最小干扰，适用于USB 2.0、RS-485、CAN总线等高速接口防护。
MicroSMC封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的热性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产。
该TVS阵列支持多种极性配置，可根据具体应用需求灵活选择单向或双向保护模式，增强了设计适应性。
此外，器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于部分车载电子系统中，提升整体系统的环境耐受性。
其材料符合环保标准，不含铅和卤素，满足国际环保法规要求，适用于出口型电子产品。
长期稳定性好，老化速率低，可在严苛环境下长时间服役而不降低保护效能。
ZM18D703J4470常用于各类需要接口级浪涌保护的电子设备中，尤其适合部署在暴露于外部连接器的信号线上。
典型应用场景包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的USB Type-A或Type-C端口ESD防护；也可用于HDMI、DisplayPort等音视频接口的瞬态抑制。
在工业自动化领域，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器接口和现场总线（如Profibus、Modbus）的EFT保护。
通信设备如路由器、交换机、光模块中的以太网PHY侧防护也常采用此类多通道TVS阵列。
此外，在汽车信息娱乐系统、车载导航和ADAS传感器接口中，ZM18D703J4470可用于抵御来自线束耦合的瞬态干扰。
消费类电子产品如数码相机、移动电源、智能穿戴设备等对小型化和高可靠性有严格要求的产品中，该器件因其小尺寸和高性能成为理想选择。
还可用于医疗设备的外设接口保护，确保设备在医院复杂电磁环境中安全运行。
总之，任何存在静电或电气瞬变风险的低压信号线路均可考虑使用ZM18D703J4470进行前端保护。
