时间：2025/8/14 17:51:51
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BZT52-B8V2_R1_00001是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），主要用于电压调节和参考电压应用。该器件具有8.2V的齐纳电压，适用于需要稳定电压的电子电路，如电源、电压参考源、电池管理系统和信号调节电路。该器件采用SOD-123表面贴装封装，具有体积小、响应速度快和稳定性好等优点，适合在高密度PCB设计中使用。
类型：齐纳二极管（Zener Diode）
最大齐纳电压（Vz）：8.2V
最大齐纳电流（Izmax）：200mA
功率耗散（Ptot）：300mW
封装类型：SOD-123
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
最大反向漏电流（Ir）：100nA（在Vz=8.2V时）
动态电阻（Zzt）：约15Ω（典型值）
BZT52-B8V2_R1_00001具有多项优异的电气特性和物理封装优势，适用于各种电压调节和参考应用。
首先，该齐纳二极管的齐纳电压为8.2V，具备良好的电压稳定性，在工作电流范围内能保持相对恒定的电压输出，适用于作为基准电压源使用。其最大齐纳电流为200mA，确保在较宽的工作电流范围内仍能维持良好的稳压性能。此外，该器件的功率耗散为300mW，能够在表面贴装封装下提供足够的功率承受能力，适用于中等功率应用。
其次，该器件采用SOD-123封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率和可靠性。该封装具备良好的热性能，在合理设计的电路中可有效散热，确保长期稳定工作。
另外，BZT52-B8V2_R1_00001的动态电阻较低，典型值约为15Ω，有助于减少电压波动和噪声，提高电压调节的精度。反向漏电流极低，在8.2V反向电压下典型值仅为100nA，确保在低功耗应用中不会引入显著的电流损耗。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应工业级工作环境，可在宽温条件下稳定运行。存储温度范围同样为-55°C至+150°C，适用于多种严苛的存储和运输条件。
BZT52-B8V2_R1_00001广泛应用于需要电压参考和调节的电子系统中。例如，在电源管理电路中，该器件可用于提供稳定的参考电压，以确保DC-DC转换器、线性稳压器和电池充电器的输出电压精度。在模拟电路中，它可用作基准源，为运算放大器、比较器和传感器接口电路提供稳定的偏置电压。
此外，该齐纳二极管常用于电池供电设备的电压监测电路，确保系统在电池电压下降时能及时做出响应。它还可用于过压保护电路，防止后级电路因电压过高而损坏。在工业控制系统和通信设备中，BZT52-B8V2_R1_00001可用于构建高精度的基准电压源，确保系统测量和控制的准确性。
由于其低漏电流和快速响应特性，该器件也适用于低功耗和高精度的便携式电子设备，如智能手表、医疗监测设备和无线传感器节点。
BZT52C8V2、MM3Z8V2B、1N4735A、CZRU8V2、KIA431B
