类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装形式：SOD-123
　　最大耗散功率：300mW
　　标称稳压电压：5.1V（在测试电流为20mA时）
　　最大齐纳电流：58mA
　　动态电阻：最大10Ω（在1kHz条件下）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流：最大100nA（在VR=1V时）

BZT52-B5V1 T/R具有多个显著的技术特性，使其适用于各种电压调节和参考电压生成的应用。首先，该器件采用了先进的硅扩散工艺制造，确保了稳压电压的高精度和稳定性。在标准测试条件下，其稳压电压容差为±5%，能够满足大多数精密电子设备对电压参考的要求。其次，该齐纳二极管的动态阻抗较低，通常在10Ω以下，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定，从而提高电路的整体稳定性。
　　该器件的最大耗散功率为300mW，能够在一定的工作电流范围内保持良好的热稳定性。其最大齐纳电流为58mA，适用于中小功率的稳压应用。此外，BZT52-B5V1 T/R的反向漏电流非常低，在1V反向电压下的最大漏电流仅为100nA，这有助于减少静态功耗并提高电路的效率。
　　采用SOD-123封装，BZT52-B5V1 T/R具有较小的体积和良好的热传导性能，适合在高密度PCB布局中使用。该封装形式也便于自动化贴片生产和回流焊工艺，提高生产效率。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在各种环境条件下都能稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

BZT52-B5V1 T/R广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。最常见的应用之一是作为低压稳压器，用于电池供电设备、传感器电路和便携式电子产品中，确保在不同负载条件下电压的稳定。该器件也可用于电源管理系统中的电压监测电路，当输入电压超过设定值时触发保护机制，防止后续电路受到损坏。
　　此外，BZT52-B5V1 T/R还可用于信号调理电路中的电压钳位保护，防止瞬态电压尖峰对敏感元件造成损害。在模拟电路中，该齐纳二极管常被用作基准电压源，为运算放大器、比较器等元件提供高精度的参考电压。在数字电路中，它可用于电平转换或为微控制器提供稳定的电源电压，以确保系统稳定运行。
　　由于其良好的温度稳定性和封装适应性，该器件也常用于工业自动化控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中，例如车载充电器、仪表盘控制系统和车载传感器模块。

BZT52C5V1、MMBZ5231B、1N4733A、L78L05