您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BZB84-C2V7,215

BZB84-C2V7,215 发布时间 时间:2025/9/14 2:59:54 查看 阅读:4

BZB84-C2V7,215 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一种双极性稳压二极管(齐纳二极管),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用 SOD-323 封装,适用于便携式电子设备、电源管理系统以及需要精密电压基准的电路设计。该型号的标称齐纳电压为 2.7 V,具有较低的动态阻抗和良好的温度稳定性,适合在要求高精度电压参考的场合使用。

参数

型号:BZB84-C2V7,215
  类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  封装形式:SOD-323
  标称齐纳电压(Vz):2.7 V
  最大齐纳电流(Izmax):100 mA
  最大功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  反向漏电流(IR):100 nA(最大)@ VR=1 V
  测试电流(Iztest):5 mA

特性

BZB84-C2V7,215 齐纳二极管具有多项优良的电气和机械特性,使其适用于各种电压基准和调节电路。
  首先,该器件采用 SOD-323 超小型封装,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局,适用于手持设备和高密度 PCB 设计。此外,该封装具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业和消费类电子产品。
  其次,BZB84-C2V7,215 的标称齐纳电压为 2.7 V,测试电流为 5 mA,在该电流下的动态阻抗非常低,有助于维持稳定的输出电压,减少由于负载变化引起的电压波动。同时,其反向漏电流极低,在 1 V 反向电压下的最大漏电流为 100 nA,确保在低功耗应用中不会造成显著的电流损耗。
  该器件的最大齐纳电流为 100 mA,最大功耗为 300 mW,能够在中等功率条件下稳定工作,适用于多种电源管理电路。此外,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,可在极端温度环境下保持稳定性能,适用于汽车电子、工业控制和户外设备等应用。
  最后,该齐纳二极管具有优异的温度系数,在宽温度范围内电压变化极小,可提供高精度的电压参考,适合用于 A/D 转换器、电压比较器、稳压电源等精密模拟电路。

应用

BZB84-C2V7,215 主要应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。例如,在便携式电子设备中,该器件可用作电压基准,为模数转换器(ADC)、电压检测电路和低功耗传感器提供稳定参考电压。此外,它还可用于低压差线性稳压器(LDO)的参考电压源,提高输出电压的精度和稳定性。
  在电源管理系统中,BZB84-C2V7,215 可用于电压监控和过压保护电路,确保系统在异常电压情况下能及时响应,防止损坏关键电子组件。由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性,该器件也广泛应用于电池供电设备、无线通信模块和嵌入式控制系统。
  在工业控制和汽车电子领域,该齐纳二极管可用于传感器信号调理电路、仪表放大器参考电压源以及温度测量系统的基准源。由于其宽工作温度范围和高可靠性,它特别适用于对稳定性和耐久性有较高要求的应用场景。

替代型号

BZV49-C2V7, BZX84-C2V7, LMV431, AZ431

BZB84-C2V7,215推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BZB84-C2V7,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 1V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大300mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)100 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934061681215