时间：2025/9/13 22:32:48
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BZB84-B6V8,215 是由 NXP Semiconductors 生产的一款齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压的应用。该器件具有稳定的齐纳电压和低动态阻抗，适合用于需要精确电压控制的电子电路中。BZB84-B6V8,215 属于 BZB84 系列，采用 SOD123 封装，适合表面贴装，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
齐纳电压：6.8 V
最大齐纳电流：100 mA
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD123
最大反向漏电流（@ 1 V）：100 nA
动态阻抗（@ Iz = 5 mA）：10 Ω
最大寄生电容：20 pF
BZB84-B6V8,215 齐纳二极管具有多项优异特性，确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。首先，其齐纳电压为 6.8 V，在额定电流下具有极小的电压波动，适用于高精度电压调节和参考电压源设计。该器件的动态阻抗较低（通常为 10 Ω），这有助于减少电压波动对电路性能的影响，提高系统的稳定性。
此外，BZB84-B6V8,215 的最大齐纳电流为 100 mA，允许在较宽的负载范围内进行调节。该二极管的总功率耗散为 300 mW，支持在较高功耗环境下正常工作，同时其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其适用于高温和低温极端环境下的应用。
该器件采用 SOD123 封装，体积小巧，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。SOD123 封装还具有良好的热管理和机械稳定性，能够有效提高产品的可靠性和使用寿命。
BZB84-B6V8,215 的最大反向漏电流在 1 V 反向电压下仅为 100 nA，表明其在非导通状态下的漏电流非常低，适用于低功耗设计。此外，其寄生电容最大为 20 pF，适用于高频和快速响应的电路应用。
BZB84-B6V8,215 齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要稳定电压参考的场合。其主要应用包括电压调节电路、基准电压源、过压保护电路、电源管理模块、电池供电设备、传感器信号调理电路以及工业控制和汽车电子系统。
在电源管理系统中，BZB84-B6V8,215 可作为参考电压用于比较器和稳压器的设计，确保输出电压的稳定性。在电池供电设备中，该齐纳二极管可以用于监测电池电压，并在电压下降到设定阈值时触发低电量警告或关闭系统。
在汽车电子系统中，该器件可用于车载电子控制单元（ECU）、车载充电器和稳压电源模块，提供稳定的参考电压并防止电压波动对系统造成影响。此外，在工业控制系统中，BZB84-B6V8,215 也可用于传感器接口电路，确保测量信号的准确性。
BZX84C6V8, BZV4946-068, BZT52C6V8
