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BZB784-C3V0,115 发布时间 时间:2025/9/13 20:29:22 查看 阅读:7

BZB784-C3V0,115 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于通用型NPN晶体管。该器件广泛用于放大和开关应用,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于各种电子电路设计。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT23

特性

BZB784-C3V0,115 具备优异的电气性能和稳定性,适用于中低功率的开关和放大应用。其高电流增益使其能够在低基极电流条件下驱动较大的集电极电流,提高了电路的效率。该晶体管的SOT23封装形式小巧,适合高密度PCB布局。
  此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下可靠工作。其低饱和电压(Vce_sat)特性降低了功耗,提升了整体系统的能效。由于其广泛的工作温度范围,BZB784-C3V0,115 也适用于工业级应用,例如电源管理、传感器驱动、音频放大等场景。
  在制造工艺上,该晶体管采用了先进的硅外延平面技术,确保了器件的高一致性和可靠性。其封装材料符合RoHS标准,适用于环保型电子产品。

应用

BZB784-C3V0,115 主要应用于以下领域:
  1. 信号放大电路:如音频放大器、射频信号放大等;
  2. 开关电路:用于驱动LED、继电器、小型电机等负载;
  3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电路中作为开关元件;
  4. 工业控制:如PLC模块、传感器接口电路;
  5. 消费类电子产品:例如手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源管理或信号处理模块。

替代型号

BC847, 2N3904, MMBT3904, PN2222

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BZB784-C3V0,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 1V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大180mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934056298115BZB784-C3V0 T/RBZB784-C3V0 T/R-ND