类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-400mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-50V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5Ω @ VGS = -5V
　　输入电容（Ciss）：约 60pF
　　输出电容（Coss）：约 35pF
　　反向恢复时间（trr）：无（因非双极型）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

BZA109的电气特性使其在低功率开关应用中表现优异。首先，其P沟道结构允许在高边开关配置中实现简单驱动，当栅极为低电平时导通，高电平时截止，非常适合与微控制器配合使用进行电源通断控制。该器件的阈值电压范围为-1V至-2.5V，意味着即使在较低的控制电压下也能可靠开启，兼容现代低压逻辑系统如3.3V或1.8V CMOS电路。这一特性降低了对外部驱动电路的依赖，有助于简化整体设计并减少元件数量。
　　其次，BZA109的最大导通电阻为4.5Ω（在VGS=-5V条件下测量），在同类P沟道MOSFET中属于较低水平，这意味着在导通状态下功率损耗较小，有助于提高系统的能效，特别是在长时间运行的电池供电设备中尤为重要。低RDS(on)还减少了发热问题，提升了长期工作的稳定性。此外，该器件支持最高-50V的漏源电压，提供了足够的电压裕量以应对瞬态过压情况，增强了系统的鲁棒性。
　　再者，BZA109采用了SOT-23小型封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB布局中使用。该封装具备良好的散热性能，并可通过PCB焊盘进一步增强热传导能力。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，不仅适用于常温环境下的消费电子产品，也能胜任工业级或汽车电子中的严苛条件。此外，BZA109具有出色的抗静电能力（ESD保护）和栅极氧化层耐久性，确保在生产和使用过程中不易损坏。
　　最后，该器件的寄生参数优化良好，输入电容约为60pF，输出电容约35pF，开关速度快，响应时间短，适合高频开关操作。虽然作为小信号MOSFET不用于大电流切换，但其快速开关能力使其可用于PWM调光、信号选通等场合。综合来看，BZA109凭借其低导通电阻、宽工作电压、小型封装和高可靠性，成为众多设计师在构建高效、小型化电源管理方案时的首选器件之一。

BZA109主要应用于各类需要低功耗、小尺寸功率开关的电子系统中。典型用途包括便携式设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中用于开启/关闭特定功能模块（如传感器、显示屏背光、无线模块）以节省电量。在这些应用中，BZA109作为高边开关连接负载与电源，由微控制器输出信号控制其通断，实现精确的电源管理策略。
　　另一个重要应用是在电池供电系统中的负载切换和反向电流阻断。例如，在多电源输入系统（如USB供电与电池供电切换）中，BZA109可用于防止电流倒灌，保证电源路径的单向性，从而提升系统安全性。此外，它也常被用作LED驱动开关，特别是在状态指示灯或按键背光控制中，利用PWM信号调节亮度，而其低导通电阻可减少能量浪费，延长电池续航时间。
　　在工业自动化和嵌入式控制系统中，BZA109可用于驱动小型继电器、蜂鸣器或其他数字负载。由于其兼容逻辑电平输入，可以直接由GPIO引脚驱动，无需额外的缓冲或电平转换芯片，降低了系统复杂度和成本。同时，在通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）的使能控制电路中，BZA109可用于模块的上电复位或节能休眠控制，实现按需供电。
　　此外，该器件也可用于模拟开关或信号路由电路中，尤其是在直流偏置控制或低频信号通断场景下。由于其关断时漏电流极小，能够有效隔离信号路径；而在导通时压降低，不会显著影响信号完整性。因此，BZA109不仅是一个功率开关，也是一种可靠的信号控制元件，适用于多种混合信号系统设计。

ZXM61P02
　　FDC6314P
　　SI2301DS
　　DMG2301U