型号：IRGPC30MD2
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：600 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：7.8 A
　　脉冲漏极电流IDM：31 A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：0.95 Ω
　　导通电阻RDS(on)（typ @ VGS=10V）：0.75 Ω
　　栅极电荷Qg（典型值）：48 nC
　　输入电容Ciss（典型值）：1050 pF
　　输出电容Coss（典型值）：190 pF
　　反向恢复时间trr（典型值）：35 ns
　　反向恢复电荷Qrr（典型值）：13 nC
　　阈值电压VGS(th)：3.0 ~ 4.5 V
　　最大功耗PD：43 W
　　工作结温范围TJ：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：TO-220

IRGPC30MD2采用了英飞凌先进的Superjunction（超结）结构与沟槽栅极技术相结合的设计理念，使其在高压应用中实现了卓越的性能平衡。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在600V耐压等级下仍能达到0.95Ω的最大值，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。更重要的是，该器件优化了寄生参数，尤其是输出电容Eoss和反向恢复电荷Qrr，使其非常适合用于LLC谐振转换器、ZVS（零电压切换）和ZCS（零电流切换）拓扑结构中。这种低Qrr特性意味着体二极管在关断过程中产生的尖峰电流更小，减少了对栅极驱动回路的干扰，避免误导通现象的发生，从而增强了电路的稳定性和抗噪声能力。
　　另一个关键特性是其出色的开关速度与可控性。由于输入电容Ciss仅为1050pF左右，配合48nC的栅极电荷Qg，使得驱动电路所需的驱动功率较低，可以使用成本更低的驱动IC即可实现快速开关动作。这对于高频工作的开关电源尤为重要，因为它有助于减少死区时间并提升功率密度。同时，器件具备良好的热稳定性，其最大功耗可达43W，并可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，确保在恶劣环境条件下依然保持性能稳定。
　　此外，IRGPC30MD2内置的快速体二极管经过专门优化，具有较短的反向恢复时间trr（典型35ns）和低Qrr（典型13nC），不仅减少了开关损耗，还降低了EMI辐射水平，简化了滤波电路设计。TO-220封装提供了优良的机械强度和热传导路径，便于通过散热片将热量迅速传递到外部环境，延长器件寿命。总体而言，这些综合特性使IRGPC30MD2成为工业电源、家电控制器、感应加热设备及LED驱动电源等领域中的理想选择。

IRGPC30MD2广泛应用于各类高频率、高效率的开关电源系统中，典型用途包括感应加热炉、电磁炉、电子镇流器、荧光灯和HID灯驱动电路。由于其具备优异的软开关兼容性，常被用于LLC半桥谐振转换器、准谐振反激式电源（QR Flyback）以及有源钳位正激变换器等先进拓扑结构中，尤其适合追求高能效和小型化的AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块。此外，它也常见于光伏逆变器、UPS不间断电源和电机控制驱动器等工业电力电子设备中，承担主开关或同步整流功能。在消费类电子产品如大功率充电器、电视电源板和空调变频模块中也有广泛应用。得益于其高耐压、低损耗和良好热性能，IRGPC30MD2能够在长时间满负荷运行下保持稳定，满足严苛的工作环境要求。

IPD90N60C3
　　SPW24N60C3
　　STGP30NC60WD
　　FCH60N60F