类型：高速整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：800 V
　　最大直流阻断电压（VR）：800 V
　　最大RMS电压（VRMS）：560 V
　　最大平均正向整流电流（IO）：1 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A
　　最大正向电压降（VF）：1.2 V @ 1 A
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA @ 800 V
　　反向恢复时间（trr）：75 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装：DO-41 (Axial)

BYW96D的核心特性之一是其优异的高速开关能力，这主要体现在其较短的反向恢复时间（trr），典型值仅为75ns。这一特性使得该二极管在高频开关环境下能够迅速从导通状态切换至截止状态，从而显著减少开关损耗并提高整体系统效率。尤其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和脉冲宽度调制（PWM）控制电路中，这种快速响应能力有助于降低电磁干扰（EMI）并提升能量转换效率。此外，短的反向恢复时间还能有效避免因电荷积累导致的瞬态过电流现象，增强电路运行的稳定性与安全性。
　　另一个重要特性是其高达800V的最大重复峰值反向电压（VRRM）和最大直流阻断电压（VR）。这意味着BYW96D可以在高压环境中可靠工作，适用于输入电压波动较大的交流整流场合，例如市电整流（110V/220V AC）后的桥式整流电路。即使在恶劣的电网条件下，如瞬间电压浪涌或雷击感应，该器件也能承受一定的过压冲击而不发生击穿，提高了系统的抗干扰能力和使用寿命。
　　该器件的最大平均正向整流电流为1A，足以应对大多数中小功率电源的设计需求。配合高达30A的峰值非重复浪涌电流（IFSM）能力，BYW96D能够在启动瞬间或负载突变时承受短暂的大电流冲击，避免因电流过载而导致损坏。这对于带有容性负载或电机类负载的应用尤为重要，因为这类负载在上电初期往往会产生较大的涌入电流。
　　BYW96D采用DO-41轴向玻璃封装，具备良好的热稳定性和机械强度。该封装支持通孔安装，便于手工焊接与自动化生产，且具有较好的散热性能，可在-55°C至+150°C的工作结温范围内保持稳定电气特性。同时，器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色环保电子产品制造。综上所述，BYW96D凭借其高速、高压、高可靠性等特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BYW96D广泛应用于各类需要高效整流与快速开关响应的电子电路中。其中一个主要应用场景是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管使用。在反激式、正激式或桥式拓扑结构的开关电源中，BYW96D利用其低正向压降和短反向恢复时间的优势，有效提升电源转换效率，减少发热损耗，并降低电磁干扰（EMI）水平。尤其在中小功率电源适配器、充电器和LED驱动电源中，该器件表现出良好的性价比和长期运行稳定性。
　　在交流输入端的桥式整流电路中，BYW96D也常被用作四个桥臂中的一个或多个整流单元。由于其额定反向电压高达800V，能够安全地处理220V交流电经峰值电压（约311V）整流后可能出现的电压应力，并留有足够裕量以应对电网波动或瞬态浪涌。因此，它非常适合用于家用电器、工业控制设备和办公自动化设备中的电源模块。
　　此外，BYW96D还可用于续流二极管（Flyback Diode）的角色，保护晶体管或MOSFET免受感性负载（如继电器线圈、电机绕组）断电时产生的反向电动势损害。在这种应用中，二极管必须快速导通以泄放储能，而BYW96D的75ns反向恢复时间确保了及时响应，防止电压尖峰击穿敏感器件。
　　在通信设备和消费类电子产品中，BYW96D也被用于信号整流、电压箝位和静电放电（ESD）保护电路。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围使其能在复杂电磁环境中保持可靠运行。总之，从电源系统到控制电路，从工业设备到日常电子产品，BYW96D都扮演着关键角色，是现代电子系统中广泛应用的基础元器件之一。

1N4007, BYV26E, MUR160, UF4007