BYW77-150AR是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET,专为高效率电源转换和功率管理应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优良的热性能,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等场合。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):150A
最大漏极-源极电压(VDS):30V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
BYW77-150AR的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽技术,提供卓越的热性能和高电流处理能力,即使在高负载条件下也能保持稳定工作。
这款MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过热保护功能,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。BYW77-150AR采用TO-247封装,便于安装和散热设计,适用于需要高功率密度和紧凑布局的应用场景。
器件的栅极驱动设计优化,使得开关速度更快,从而减少了开关损耗,并且在高频操作中表现出色。这使得BYW77-150AR非常适合用于高频率开关电源和其他对效率和热管理有严格要求的电力电子设备。
BYW77-150AR广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。由于其出色的热性能和高电流能力,这款MOSFET也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率控制部分。
IPW90R120C3, IRF1405, STP150N3LLH5