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DZ23C4V3-7 发布时间 时间:2025/10/31 17:13:42 查看 阅读:21

DZ23C4V3-7是一款由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于表面贴装型小信号齐纳二极管系列,采用SOD-323封装。该器件主要用于电压参考、电压钳位和电路保护等应用场合。其标称齐纳电压为4.3V,在额定电流条件下具有稳定的电压调节性能,适用于低功耗、高密度的便携式电子设备中。DZ23C4V3-7的设计符合工业标准,具备良好的温度稳定性和长期可靠性,广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类模拟电路中。该器件采用无铅(Pb-free)环保材料制造,符合RoHS指令要求,并通过了相关可靠性测试,确保在严苛工作环境下的稳定运行。由于其小型化封装和高性能表现,DZ23C4V3-7成为现代电子设计中常用的电压稳压元件之一。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/包装:SOD-323
  齐纳电压(Vz):4.3V @ 5mA
  容差:±5%
  最大齐纳阻抗(Zzt):200Ω
  额定功率:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  制造商:Diodes Incorporated
  系列:DZ23C
  测试电流(Iz):5mA
  最大反向漏电流(Ir):1μA @ 1V
  峰值脉冲功率(Ppk):300mW(8.3ms单半正弦波)

特性

DZ23C4V3-7齐纳二极管具备优异的电压调节特性和热稳定性,能够在宽温度范围内提供精确且稳定的基准电压输出。其4.3V的齐纳电压经过精密控制,在5mA的标准测试电流下可实现±5%的电压容差,确保在多种应用场景中保持一致的电气性能。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有较低的动态阻抗(典型值低于200Ω),这意味着在负载变化时能够有效维持输出电压的稳定性,减少电压波动对后续电路的影响。此外,DZ23C4V3-7在低电流工作状态下仍能保持良好的齐纳效应,适合用于低功耗系统中的电压箝位或参考源设计。
  SOD-323封装使得DZ23C4V3-7具有极小的占板面积,非常适合高密度PCB布局,尤其适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的应用场景。该封装还具备良好的散热性能,能够在有限的空间内有效散发工作过程中产生的热量,从而提升整体系统的可靠性。器件的工作结温可达150°C,表明其可在高温环境下长时间稳定运行,满足工业级和汽车级应用的部分需求。
  DZ23C4V3-7符合RoHS环保标准,不含铅、镉等有害物质,支持无铅焊接工艺,兼容现代回流焊流程。其高可靠性经过严格的质量管控和老化筛选,确保产品在批量使用中具有一致性与耐用性。同时,该器件具备一定的瞬态过压承受能力,可通过IEC 61000-4-2等电磁兼容性测试标准,适用于需要一定抗干扰能力的接口保护电路。综上所述,DZ23C4V3-7是一款高性能、小型化、环保型的齐纳二极管,是现代电子系统中实现精准电压控制的理想选择之一。

应用

DZ23C4V3-7广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括作为低压模拟电路中的基准电压源,例如在运算放大器偏置电路、ADC/DAC参考电压生成、传感器信号调理模块中提供稳定的4.3V参考电平。由于其响应速度快、体积小,也常被用于数字I/O端口的静电放电(ESD)保护和电压箝位,防止因瞬态高压导致CMOS器件损坏,适用于USB接口、按键输入、GPIO引脚等位置的防护电路。
  在电源管理领域,DZ23C4V3-7可用于低压线性稳压器的反馈网络中,辅助实现输出电压的精确调节;也可作为LDO使能端的电平检测元件,配合电阻分压实现上电时序控制。在电池供电设备中,它可以构成简单的过压保护电路,监测充电电压是否超过安全阈值,保障锂电池的安全运行。此外,在消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能家居控制器中,DZ23C4V3-7因其微型封装和高可靠性而被广泛采用,用于内部信号电平转换、电源监控及电路自检功能。
  工业自动化设备中的传感器模块、数据采集系统也常利用该器件进行信号限幅和噪声抑制,提高系统的抗干扰能力。在汽车电子中,虽然其未专门认证为AEC-Q101器件,但在非关键性的车载信息娱乐系统或车内照明控制板中仍有应用实例。总体而言,DZ23C4V3-7凭借其稳定的电气性能、紧凑的外形尺寸和成熟的供应链支持,已成为众多工程师在进行低电压稳压与保护设计时的常用元器件之一。

替代型号

MMSZ4V3T1G
  BZT52C4V3-GS08
  PMAZ4V3,115
  ZMM4V3

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DZ23C4V3-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电-
  • 配置1 对共阴极
  • 功率 - 最大300mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)95 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称DZ23C4V3DITRDZ23C4V3TRDZ23C4V3TR-ND