BYW51F200 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的快速恢复二极管(Fast Recovery Diode),主要用于高频率开关电源、整流电路和功率因数校正(PFC)电路中。该器件具有较低的反向恢复时间(trr),能够在高频工作条件下保持较高的效率,并且具备较高的反向电压耐受能力,额定反向电压为200V。
类型:快速恢复二极管
最大反向电压(VR):200V
平均整流电流(IO):5A
峰值正向电流(IFSM):150A(非重复)
反向恢复时间(trr):< 500ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220、D2PAK(表面贴装)
正向压降(VF):约1.35V(在5A时)
漏电流(IR):≤ 5μA(在200V、25°C时)
BYW51F200 采用先进的硅技术制造,具有快速恢复特性,trr(反向恢复时间)非常短,适用于高频率整流应用。其低正向压降(VF)有助于降低导通损耗,提高整体效率。该二极管具有较高的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
器件的封装形式包括 TO-220 和 D2PAK,适用于不同的 PCB 设计需求,其中 D2PAK 版本适合表面贴装工艺,提高了组装效率和空间利用率。此外,BYW51F200 还具有较高的浪涌电流承受能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
其出色的温度特性使得该二极管能够在高温环境下正常工作,确保在高功率应用中的稳定性。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
BYW51F200 主要应用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)模块、DC/DC 转换器、UPS(不间断电源)、变频器以及工业自动化设备中的整流电路。其快速恢复特性使其特别适合于高频整流场合,如在反激式(Flyback)和正激式(Forward)拓扑结构中的次级整流部分。
此外,该二极管也可用于汽车电子系统、电机驱动器、LED 驱动电源以及各类高效率电源适配器中。在这些应用中,BYW51F200 能够有效降低开关损耗并提高整体系统效率,满足现代电子设备对高能效和小型化的需求。
BYW51F200 可以被以下型号替代:BYW52F200、BYV26C、MUR520、STTH5R02A200、HER502。在选择替代型号时,应确保其额定电流、反向电压、恢复时间和封装形式符合原设计要求。