GS1MW T/R 时间：2025/8/15 1:20:51 阅读：24

GS1MW T/R 是由 Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）生产的一款低功耗、高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，常用于电源管理、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。T/R代表该型号采用卷带包装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产使用。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

GS1MW T/R是一款高效的MOSFET，具备低导通电阻和小封装尺寸，适用于高效率电源转换应用。其低Rds(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的电路设计中使用。同时，该封装形式具有良好的热性能，能够在较高温度下稳定工作。
　　GS1MW T/R支持高达4A的连续漏极电流，适用于中等功率级别的开关控制。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的3.3V至12V逻辑电平控制，便于与微控制器或其他驱动电路连接。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗静电能力（ESD保护）和较高的可靠性，适用于工业、消费电子和汽车电子等多种应用环境。