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GS1MW T/R 发布时间 时间:2025/8/15 1:20:51 查看 阅读:15

GS1MW T/R 是由 Global Mixed-mode Technology Inc.(GMT)生产的一款低功耗、高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,常用于电源管理、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。T/R代表该型号采用卷带包装(Tape and Reel),适合自动化贴片生产使用。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

GS1MW T/R是一款高效的MOSFET,具备低导通电阻和小封装尺寸,适用于高效率电源转换应用。其低Rds(on)特性可以显著降低导通损耗,提高系统效率。
  该器件采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的电路设计中使用。同时,该封装形式具有良好的热性能,能够在较高温度下稳定工作。
  GS1MW T/R支持高达4A的连续漏极电流,适用于中等功率级别的开关控制。其栅极驱动电压范围宽,支持常见的3.3V至12V逻辑电平控制,便于与微控制器或其他驱动电路连接。
  此外,该MOSFET具备良好的抗静电能力(ESD保护)和较高的可靠性,适用于工业、消费电子和汽车电子等多种应用环境。

应用

GS1MW T/R广泛应用于以下领域:便携式电子产品中的电源开关和负载管理;DC-DC转换器和同步整流器;电池管理系统中的充放电控制;LED驱动电路;电机驱动和继电器驱动电路;以及各种低电压高效率的电源管理系统。

替代型号

Si2302DS, 2N7002, AO3400, FDMS3610

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