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BYG23M 发布时间 时间:2025/6/5 19:17:50 查看 阅读:9

BYG23M是一种常见的小型信号二极管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有快速开关特性和较低的正向电压降,适用于高频整流、开关以及保护电路等功能。
  BYG23M采用玻璃封装形式,具备高可靠性和稳定性,能够满足一般消费类电子产品的需求。其典型应用包括电源管理电路、数据通信接口保护和高频信号处理等场景。

参数

最大反向电压:50V
  正向电流(IF):200mA
  正向电压降(VF):约0.7V
  反向恢复时间(trr):4ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DO-35

特性

BYG23M具有以下主要特性:
  1. 快速反向恢复时间,适合高频应用。
  2. 低正向电压降,减少功耗并提高效率。
  3. 高度稳定的电气性能,在宽温范围内表现优异。
  4. 紧凑型玻璃封装,提供良好的机械强度和热传导性能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

BYG23M被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的箝位与保护电路。
  2. 数据通信接口中的过压保护。
  3. 高频振荡器和调制解调电路。
  4. 脉冲发生器和逻辑电平转换。
  5. 消费类电子产品如音频设备、遥控器等中的信号处理。

替代型号

1N4148
  BAS16
  1N914

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  • Fast Silicon Mesa SMD Rectifier
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BYG23M参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.71329卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1000 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1.5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 1.5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)65 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 1000 V
  • 不同?Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装DO-214AC(SMA)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C