PBSS4140DPNF 时间：2025/9/14 4:37:46 阅读：10

PBSS4140DPNF 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于高效能功率管理应用。该器件采用 DFN2020-6（无铅）封装，具备良好的热性能和空间效率，适合在紧凑型电子产品中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4.0 A
　　最大漏源电压 (Vds)：40 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　导通电阻 Rds(on)：50 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：65 mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散 (Ptot)：1.4 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DFN2020-6

特性

PBSS4140DPNF MOSFET 采用了 Nexperia 的先进 Trench 技术，具有非常低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其 40V 的漏源电压等级使其适用于多种中低压功率应用，如负载开关、DC-DC 转换器和电机控制电路。
　　该器件的 DFN2020-6 封装不仅提供了良好的热管理性能，而且占用空间小，非常适合在空间受限的设计中使用。此外，该封装无铅、符合 RoHS 标准，支持环保应用需求。
　　PBSS4140DPNF 支持快速开关操作，具有较低的开关损耗，适合高频应用环境。其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 到 10V 之间正常工作，适应性强，便于与不同类型的驱动电路配合使用。
　　此外，该 MOSFET 内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在制造和使用过程中的可靠性。其优异的雪崩能量吸收能力也增强了在突发电压冲击下的稳定性。

应用

PBSS4140DPNF 广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。典型应用包括负载开关、同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、LED 照明控制等。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可作为高效能负载开关，实现低功耗管理。在工业控制领域，PBSS4140DPNF 可用于 PLC、传感器模块和小型电机驱动电路中，提供高可靠性和高效的功率控制。
　　由于其优异的热性能和小尺寸封装，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、照明控制模块和车载充电器等，满足汽车环境对可靠性和空间布局的严格要求。