时间：2025/7/24 19:23:23
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BYD37G是一款由比亚迪（BYD）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高效率、高功率密度的电源系统设计。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BYD37G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用，如DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制和电源开关等。
此外，BYD37G具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和耐用性。其高栅极电荷（Qg）特性意味着在高频开关应用中需要更大的驱动能力，但也带来了更低的开关损耗。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和热管理。这种封装形式适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率和装配可靠性。
BYD37G常用于高性能电源管理系统，如电动车（EV）充电系统、电池管理系统（BMS）、工业电源、服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及各种需要高效率、高功率密度的开关电源设备。
SiR178DP-T1-GE3, FDD160N30FM
