类型：整流二极管
　　材料：硅
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：400 V
　　最大直流阻断电压（VR）：400 V
　　最大有效值电压（VRMS）：280 V
　　最大平均整流电流（IO）：1 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A（单个半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压降（VF）：1.1 V（在1 A时）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA（在额定VR下，25°C）
　　反向恢复时间（trr）：2 μs（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：DO-41（轴向引线玻璃封装）

BY164二极管的核心特性之一是其高达400V的反向耐压能力，使其适用于多种交流输入电压下的整流任务。这一高耐压特性意味着它可以在标准市电电压（如220V AC）经过变压器升压或直接整流的应用中安全运行。在实际应用中，即使线路出现瞬时电压波动或轻微过压情况，BY164也能保持稳定不被击穿，从而提高了系统的整体可靠性。此外，该耐压水平还允许其在某些低压开关电源前端桥式整流电路中使用，尤其是在对成本敏感的设计中。
　　另一个重要特性是其1安培的平均整流电流能力。这表示在连续工作状态下，BY164可以长期通过1A的正向电流而不会因过热导致失效。这一电流等级足以满足大多数小功率电源的需求，例如手机充电器、小型LED驱动电源、家电控制板供电模块等。配合适当的散热条件（如PCB布线散热），其实际承载能力还可进一步提升。同时，30A的非重复浪涌电流能力使其能够承受开机瞬间的电容充电冲击电流，避免因Inrush Current造成损坏，增强了系统启动时的安全性。
　　BY164的正向导通压降典型值为1.1V，在1A电流下功耗约为1.1W。虽然略高于肖特基二极管，但由于其采用硅PN结构，具备更高的反向耐压和更好的高温稳定性。该压降水平在同类整流二极管中处于合理范围，能够在效率与成本之间取得良好平衡。此外，其反向恢复时间为2微秒，虽不及专用快速恢复二极管，但对于50/60Hz工频整流已完全足够，且在部分中频开关电源中也可接受。
　　热性能方面，BY164的工作结温可达+150°C，表明其可在较恶劣的环境温度下运行。配合DO-41封装的良好热传导设计，可通过引线和PCB走线实现一定程度的自然散热。同时，其宽泛的存储温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于工业级和户外应用场景。总体而言，BY164以其稳健的电气参数、可靠的制造工艺和广泛的适用性，成为基础电子设计中值得信赖的整流器件选择。

BY164广泛应用于各类需要将交流电转换为直流电的整流电路中，尤其常见于低功率到中等功率的电源系统。一个典型的应用场景是在单相桥式整流电路中作为四个整流臂之一，配合滤波电容和平滑电感，将来自变压器次级的交流电压转换为稳定的直流电压，供给后续稳压电路或负载使用。这种配置常见于老式线性电源、小型开关电源的辅助绕组整流、以及家电产品内部的辅助电源模块。
　　在LED照明驱动领域，BY164常用于隔离型反激式开关电源的输出整流环节，特别是在输出电流不大于1A的情况下。尽管在高效率设计中可能被肖特基二极管替代，但在对成本敏感且效率要求不极端的应用中，BY164仍具有竞争优势。此外，由于其具备一定的浪涌承受能力，适合应对电网波动较大的地区使用。
　　在工业控制和自动化设备中，BY164可用于继电器驱动电路中的续流二极管（Flyback Diode），保护晶体管或MOSFET免受电感反电动势的损害。虽然这类应用对恢复速度有一定要求，但BY164的2μs恢复时间在多数低频开关场合仍可胜任。同时，其高耐压特性使其适用于驱动较高电压等级的电磁阀或接触器线圈。
　　其他应用还包括电池充电器、小型逆变器中的反馈回路整流、信号检测电路中的峰值检波等。由于其封装为标准DO-41，易于手工焊接和自动化贴装，因此在原型开发和小批量生产中也非常受欢迎。此外，因其参数公开、资料齐全，常被用作教学实验中的基础元器件示例，帮助学生理解二极管的基本工作原理和整流过程。

1N4007
　　1N4006
　　BY127
　　IN4007