BX8213T 时间：2025/10/10 23:49:02 阅读：6

BX8213T是一款由Bright Microelectronics（光宝电子）推出的高效率、低功耗的同步整流控制器芯片，主要用于反激式（Flyback）电源拓扑中的次级侧同步整流控制。该芯片专为提高开关电源（SMPS）的整体能效而设计，广泛应用于手机充电器、适配器、LED驱动电源等对效率和体积有较高要求的消费类电子产品中。BX8213T通过检测功率MOSFET的漏源极电压（Vds），智能判断导通与关断时机，从而替代传统的肖特基二极管进行整流，显著降低导通损耗，提升系统效率，同时减少发热，有助于实现更紧凑的电源设计。
　　该芯片具备多种保护机制，包括过温保护、过压保护以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能，有效防止在开关瞬态过程中误触发SR导通。其封装形式通常为SOT-23-6或DFN等小型化封装，适合高密度PCB布局。BX8213T支持宽范围的VCC供电电压，确保在不同输入条件下稳定工作，且具有极低的待机功耗，符合国际能效标准如DoE Level VI和EU CoC V5的要求。

参数

型号：BX8213T
　　类型：同步整流控制器
　　封装：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　供电电压VCC：7V ~ 30V
　　静态电流：≤1.2mA
　　启动电压：≤7V
　　关断电压：≤5.5V
　　输出驱动电压：约12V（内部稳压）
　　最大驱动能力：2A（峰值）
　　前沿消隐时间：约280ns
　　Vds检测阈值（导通）：典型50mV
　　Vds检测阈值（关断）：典型-50mV
　　响应延迟时间：≤80ns
　　关断延迟时间：≤60ns
　　工作频率范围：支持高达500kHz
　　保护功能：过温保护、过压锁定、VCC欠压锁定（UVLO）

特性

BX8213T采用先进的Vds检测技术实现精确的同步整流控制，能够在反激变换器的次级侧准确感知功率MOSFET的漏源电压变化，从而在最佳时刻开启和关闭同步整流管，最大限度地减少体二极管导通时间和导通损耗。其内置的高精度比较器具有快速响应能力，延迟时间极短，保证了在高频开关环境下仍能可靠工作。芯片内部集成了12V的稳压电路，为外接MOSFET提供稳定的栅极驱动电压，避免因外部供电波动影响驱动性能，提升了系统的可靠性与稳定性。
　　为了防止在开关节点出现电压尖峰时误触发，BX8213T内置了约280ns的前沿消隐时间，有效屏蔽开关瞬间的噪声干扰，提高了抗干扰能力和系统鲁棒性。此外，该芯片具备完善的保护机制，包括VCC引脚的欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止异常工作；同时集成过温保护功能，在芯片温度过高时自动降频或关断，保障长期运行的安全性。其低至1.2mA的静态电流设计，使得电源在轻载或空载状态下依然保持高效率，满足严苛的节能标准。
　　BX8213T还优化了自供电设计，可在较宽的VCC电压范围内（7V~30V）正常工作，适应多种输出电压应用场景，无需额外偏置绕组即可从输出端取电，简化了外围电路设计。芯片的高集成度减少了外部元件数量，降低了整体BOM成本，并提升了系统的可靠性。由于其出色的动态响应和稳定性，BX8213T非常适合用于65W以内的高密度电源适配器设计，在USB PD快充、智能家居设备电源等领域表现出色。

应用

BX8213T主要应用于各类中小型开关电源系统中，作为次级侧同步整流控制器使用，典型场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的AC-DC适配器和充电器，尤其适用于追求高能效和小体积的快充产品。其高效的同步整流方案可显著提升电源转换效率，降低温升，帮助制造商满足全球日益严格的能源效率法规要求，如美国能源部（DoE）Level VI、欧盟生态设计指令（CoC V5）等。
　　此外，该芯片也广泛用于LED照明驱动电源中，在恒压输出型LED电源中通过替换传统整流二极管来减少功耗，提升灯具整体效率和寿命。在家电辅助电源、IoT设备供电模块、路由器、机顶盒等消费类电子产品中，BX8213T同样展现出良好的适用性和稳定性。由于其支持高达500kHz的工作频率，能够配合高频变压器设计，进一步缩小电源体积，适用于高度集成化的电源解决方案。对于需要高可靠性、长寿命和低待机功耗的应用场合，BX8213T是一个理想的选择。