时间：2025/12/28 19:08:08
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TV50C750JB-G 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管（Power Transistor），属于双极型晶体管（BJT）类别。这款晶体管主要设计用于高功率应用，例如电源、逆变器和马达控制等领域。TV50C750JB-G 具备较高的集电极电流（Ic）和集电极-发射极击穿电压（Vceo）特性，能够在较高的功率和温度条件下稳定运行。
类型：双极型晶体管（BJT）
极性：NPN
最大集电极电流（Ic）：50A
集电极-发射极电压（Vceo）：750V
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-3P
增益（hFE）：最小值为 8（Ic=2A, Vce=5V）
TV50C750JB-G 是一款高性能的双极型功率晶体管，具有出色的电流承载能力和高电压耐受性，适用于多种高功率电子系统。其 NPN 构造使其适用于需要高电流增益和高电压处理能力的应用场景。
首先，这款晶体管的最大集电极电流（Ic）可达 50A，使其能够支持大功率负载的驱动能力。同时，集电极-发射极击穿电压（Vceo）高达 750V，这使得它适用于高压环境下的工作条件，如电力电子变换器、高压电源系统和工业电机驱动器。
此外，TV50C750JB-G 的最大功耗为 300W，具备良好的散热性能，适合在高温环境下使用。其 TO-3P 封装不仅提供了良好的热传导能力，也增强了机械稳定性和耐用性。这种封装形式广泛用于功率晶体管，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。
该晶体管的工作温度范围在 -55°C 至 +150°C 之间，表明其在极端温度环境下依然能够保持稳定的工作性能。这使得 TV50C750JB-G 能够应用于各种严苛的工业和汽车电子系统中。
最后，该晶体管的增益（hFE）最低为 8，在 Ic=2A、Vce=5V 的条件下，确保了其在实际应用中具有良好的电流放大能力。这一特性对于需要高效率和稳定性的功率放大电路尤为重要。
TV50C750JB-G 主要应用于高功率电子设备和系统中，例如电源转换器、逆变器、马达控制电路、工业自动化设备以及不间断电源（UPS）等。由于其高电流承载能力和高电压耐受性，这款晶体管也常用于音频放大器和电源供应器等高功率消费类电子产品中。此外，它还可以用于电动汽车和工业马达控制系统，以提供高效的功率控制和稳定性。
2SC5200, 2SD820, MJ15003G, MJ15024G
