BUZ91AF 时间：2025/12/29 13:16:15 阅读：13

BUZ91AF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）和逆变器等高功率场合。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和高耐压能力，适用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　功耗（Ptot）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.75Ω（最大 1.0Ω）
　　封装形式：TO-220

特性

BUZ91AF 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高达500V的漏源电压（VDS）使其适用于多种高压应用，如开关电源、LED驱动器和逆变器。其次，该MOSFET的连续漏极电流可达9A，具备较高的电流承载能力，能够满足高功率转换效率的需求。
　　此外，BUZ91AF的导通电阻（RDS(on)）较低，典型值为0.75Ω，最大值为1.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其83W的最大功耗配合TO-220封装形式，提供了良好的散热性能，适用于连续工作条件下的高可靠性要求。
　　该器件还具备良好的栅极驱动特性，栅源电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，防止因栅极电压波动导致的误导通或损坏。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于严苛的工业和汽车环境。

应用

BUZ91AF 主要应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热性能，BUZ91AF也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。
　　在开关电源中，BUZ91AF可用于主开关管或同步整流器，提供高效的能量转换。在电机驱动系统中，该MOSFET可作为H桥结构中的开关元件，实现电机的正反转和调速控制。此外，其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于户外设备、工业自动化和不间断电源（UPS）系统。