时间：2025/12/29 14:44:11
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BUZ905是一款由英飞凌（Infineon）生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高电压的应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关性能。BUZ905适用于工业电机控制、电源转换、电池管理系统和电动车辆系统等需要高可靠性和高性能的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：55V
最大漏极电流(Id)：77A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：约0.016Ω
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
栅极电荷(Qg)：约70nC
BUZ905具有低导通电阻（Rds(on)），使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供快速的开关速度和低栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗，提高系统效率。
其高耐压能力和高电流承载能力，使其适用于苛刻的工业环境和电动车辆应用。
此外，BUZ905具备良好的热稳定性和过热保护能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET还具有低导通损耗和高短路耐受能力，适合用于高可靠性的电源管理系统。
BUZ905常用于高功率电源转换器，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其高电流能力和低导通电阻使其成为电动车辆和混合动力汽车中的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）和高功率LED照明系统。由于其出色的热性能和高可靠性，BUZ905也被广泛应用于各种需要高效能和高稳定性的电子系统中。
IPB075N10N3, BSC090N10NS5, BTS6133-1EPP
