BUZ84 时间：2025/12/26 20:30:15 阅读：13

BUZ84是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等高电流、高频开关场合。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和较高的功率处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。BUZ84由多家半导体制造商生产，如Motorola（现为onsemi）、STMicroelectronics等，虽然不同厂家的工艺略有差异，但其电气特性与引脚定义基本一致，具备良好的互换性。该MOSFET设计用于在低栅极驱动电压下实现较低的导通电阻，从而降低导通损耗，提高系统效率。其主要优势在于高输入阻抗、快速开关速度以及较强的过载承受能力。由于其结构特性，BUZ84在关断状态下具有很高的阻断电压能力，适用于60V耐压等级的应用环境。此外，该器件内置了反向并联二极管，可在感性负载切换时提供续流路径，防止电压反冲损坏电路。在实际应用中，BUZ84常被用于继电器驱动、LED驱动、电池管理系统及逆变器等场景。需要注意的是，在高频率或大电流工作条件下，应配备适当的散热器以确保器件结温不超过最大允许值，从而保证长期工作的可靠性。
　　

参数

型号：BUZ84
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Ptot）：70W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUZ84具备优异的开关特性和导通性能，其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为45毫欧姆，在Vgs=10V条件下能够显著降低导通状态下的功率损耗，这对于高效率电源转换系统至关重要。该特性使得器件在大电流应用中发热更少，提升了整体系统的能效比。同时，低Rds(on)也意味着可以在相同功耗下承载更高的持续电流，增强了系统的负载能力。此外，BUZ84具有较快的开关速度，其输入电容和反馈电容较小，使得在高频PWM控制中响应迅速，减少了开关过渡过程中的能量损耗，适合用于开关频率较高的DC-DC变换器或逆变电路。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，漏源击穿电压高达60V，能够在常见的12V、24V甚至48V直流系统中安全运行，适用于工业控制、汽车电子及通信电源等多种应用场景。其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，表明该器件可在较低的驱动电压下开启，兼容TTL或CMOS逻辑电平驱动电路，简化了驱动电路设计。同时，器件具备良好的热稳定性，最大结温可达175°C，并采用TO-220封装，便于安装散热片以增强散热效果。内置的体二极管可有效抑制感性负载产生的反向电动势，避免电压尖峰对其他元件造成损害，提高了系统在电机驱动或电磁阀控制中的可靠性。此外，BUZ84还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定的自我保护能力，延长器件寿命。

应用

BUZ84广泛应用于各种需要高效开关控制的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，常作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率。在DC-DC升压或降压转换器中，BUZ84可用于高频斩波控制，实现稳定的电压输出，适用于车载电源、便携式设备供电等场景。在电机控制系统中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关，控制直流电机的正反转与调速，常见于电动工具、小型机器人及自动化设备中。
　　此外，BUZ84也适用于LED照明驱动电路，特别是在大功率LED恒流驱动方案中，作为开关调节元件可有效控制电流脉冲，提升光效与稳定性。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电回路的通断控制，配合保护电路实现过流、短路保护功能。在逆变器和UPS系统中，BUZ84可用于将直流电转换为交流电的桥式逆变环节，尤其是在小功率逆变设备中表现出良好的性价比。工业控制领域中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀、加热元件等负载，实现微控制器对高功率外设的间接控制。由于其TO-220封装易于安装与维护，BUZ84也常被用于实验原型设计和教学演示电路中，是电子工程师常用的功率开关元件之一。