时间：2025/5/8 14:23:35
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NGTB60N65FL2WG是一款由GeneSiC公司生产的碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的碳化硅技术，具备出色的开关性能和耐高压能力，适合用于高频、高效率的功率转换应用。其额定电压为650V，连续漏极电流为60A（在25°C条件下）。这种MOSFET具有较低的导通电阻和栅极电荷，从而减少了传导和开关损耗。
该器件封装形式为D2PAK（TO-263），带有隔离金属基板，便于散热管理，适用于工业、汽车及可再生能源领域。
额定电压：650V
额定电流：60A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=15V时）
栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3900pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：80ns（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
1. 高效碳化硅材料制成，具有卓越的热稳定性和低损耗特性。
2. 极低的导通电阻确保了较高的功率转换效率。
3. 出色的开关性能，支持高达100kHz的工作频率。
4. 内置反并联二极管，进一步优化了硬开关应用中的性能。
5. 提供强大的短路耐受能力，增强系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
7. 耐高温设计，适合极端环境下的运行需求。
1. 电动汽车（EV）车载充电器和DC-DC转换器。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
3. 工业电机驱动与伺服控制器。
4. 不间断电源（UPS）设备。
5. 高频DC-DC转换器。
6. 快速充电适配器和电源供应模块。
7. 其他需要高效功率转换的应用场景。
NGTB80N65FL2WG
C2M0060065J
FFNH30T65SMD1
SCT2080KL
