BUZ83 时间：2025/12/27 21:14:24 阅读：15

BUZ83是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及高电流负载驱动等场合。该器件采用高效率的制造工艺，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。BUZ83设计用于在高功率密度应用中提供可靠的性能，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等多种领域。其封装形式为TO-220，具有良好的热传导能力，便于通过散热片进行有效散热，从而提高系统整体的可靠性与寿命。该MOSFET的工作温度范围较宽，通常可在-55°C至+150°C的结温范围内正常运行，适合在严苛环境条件下使用。此外，BUZ83具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护能力，减少因电压尖峰导致的损坏风险。作为一款成熟的功率器件，BUZ83在市场上已被广泛应用，并被许多设计工程师视为可靠的选择之一。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：未集成续流二极管或快速恢复特性有限
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUZ83具备出色的电气特性和结构设计，使其在多种高功率应用场景中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）使得该器件非常适合用于高压开关电路中，例如离线式开关电源（SMPS）、AC-DC转换器以及荧光灯镇流器等。这一高耐压能力确保了在面对电网波动或瞬态电压冲击时仍能保持稳定运行。
　　其次，BUZ83的最大连续漏极电流可达7A，在适当的散热条件下能够持续驱动较大负载，适用于中等功率级别的电机控制或继电器驱动应用。虽然其导通电阻Rds(on)典型值为1.2Ω，相较于现代超低Rds(on) MOSFET略显偏高，但在当时的技术背景下仍属于合理水平，且足以满足多数非极致效率要求的应用需求。
　　再者，该器件采用了TO-220封装，这种通孔安装形式不仅机械强度高，而且具备良好的热传导路径，可通过外接散热片将内部产生的热量有效传导至外部环境，防止因温升过高而导致器件失效。这对于长时间运行在大电流状态下的应用至关重要。
　　另外，BUZ83具有较强的雪崩耐量能力，意味着它能在遭遇感性负载突然断开所产生的反电动势时，承受一定程度的能量冲击而不发生永久性损坏。这一特性增强了系统的鲁棒性，减少了对外部钳位电路的依赖，简化了设计复杂度。
　　最后，该MOSFET的栅极驱动特性较为友好，标准逻辑电平（如10V驱动）即可实现充分导通，兼容常见的驱动IC输出。同时，其输入电容较小，有助于降低驱动损耗并提升开关速度，从而改善整体能效表现。尽管不具备快速体二极管，但在某些应用中可通过外接肖特基二极管来弥补续流功能。

应用

BUZ83常用于多种需要高压、中等电流开关能力的电力电子系统中。一个典型应用是开关模式电源（SMPS），特别是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关元件，负责将输入的交流电压整流后进行高频斩波，以实现高效的电压变换与隔离。由于其500V的耐压等级，BUZ83可直接用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的电源设计中，无需额外的降压预处理。
　　另一个重要应用领域是直流电机控制，尤其是在工业自动化设备或家用电器中，BUZ83可用于H桥或单端正激驱动电路中，实现对电机启停、调速和方向控制。其7A的持续电流能力足以支持中小型直流电机的运行需求。
　　此外，BUZ83也广泛应用于照明控制系统，如电子镇流器、LED驱动电源等，用于调节灯光亮度或实现软启动功能。在这些场景中，MOSFET需频繁进行高速开关操作，而BUZ83的开关响应速度快、驱动功耗低的优势得以充分发挥。
　　在汽车电子方面，尽管并非专为汽车级认证设计，但BUZ83仍可用于部分车载辅助电源模块或继电器/电磁阀驱动电路中，特别是在成本敏感型项目中作为经济实用的选择。
　　此外，BUZ83还可用于逆变器、UPS不间断电源、电池充电器以及各种工业控制板上的功率切换模块。其坚固的封装和稳定的性能使其成为工程师在开发原型或小批量产品时常用的元器件之一。