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JS28F256M29EWHB TR 发布时间 时间:2025/10/22 9:50:54 查看 阅读:26

JS28F256M29EWHB TR 是英特尔(Intel)推出的一款高性能、低功耗的并行接口NOR闪存芯片,属于其StrataFlash Embedded Memory系列。该器件专为需要高可靠性、快速读取性能和长期数据保持能力的嵌入式系统设计,广泛应用于工业控制、网络设备、通信基础设施和汽车电子等领域。该芯片采用先进的制造工艺,提供大容量存储空间,具备优异的耐久性和数据保持特性。其封装形式为小型化的TSOP(Thin Small Outline Package),适用于对空间要求较高的紧凑型设计。JS28F256M29EWHB TR 支持多种电源电压操作,包括核心电压和I/O电压分离设计,便于与不同逻辑电平的微处理器或控制器接口连接,提升系统集成的灵活性。
  该芯片支持多层单元(MLC)技术,在保证成本效益的同时提供较高的存储密度。通过内置的命令寄存器接口(Command Register Interface),用户可以执行诸如读取、编程、擦除、挂起等操作,并支持块锁定(Block Locking)功能以增强数据安全性。此外,该器件具备硬件写保护机制,防止因意外写入或断电导致的数据损坏。JS28F256M29EWHB TR 还兼容JEDEC标准接口规范,确保与其他系统的互操作性。随着半导体市场的演变,该型号可能已逐步转向由美光(Micron)或其他授权厂商继续支持或提供替代方案。

参数

品牌:Intel
  型号:JS28F256M29EWHB TR
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:256 Mbit(32 MB)
  组织结构:16 M x 16 位
  工作电压 - 核心:2.7V 至 3.6V
  工作电压 - I/O:2.7V 至 3.6V
  访问时间:70 ns / 90 ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-56
  接口类型:并行异步
  写入耐久性:100,000 次编程/擦除周期
  数据保持时间:超过 20 年
  编程电压:内部电荷泵生成
  支持操作模式:读取、字节写入、块擦除、整片擦除、挂起/恢复
  总线宽度:16 位(可配置为 x8/x16 模式)
  是否支持分页编程:是
  是否支持软件数据保护:是
  是否支持硬件写保护:是

特性

JS28F256M29EWHB TR 具备多项关键特性,使其在严苛的工业和嵌入式环境中表现出色。首先,其256Mbit的大容量存储结合16位并行接口,能够在不牺牲速度的前提下满足复杂固件存储需求。该器件采用Intel的多层单元(MLC)NOR Flash技术,在维持传统NOR Flash高速随机读取优势的同时,提升了存储密度,降低了单位比特成本,适合需要高代码密度的应用场景。
  其次,该芯片具备出色的读写性能。典型访问时间为70ns或90ns,支持全宽度突发读取模式,能够实现接近连续的数据流输出,显著提升系统启动速度和代码执行效率。其内部集成电荷泵电路,可在标准单电源供电下完成编程和擦除操作,无需外部高压电源,简化了电源设计并提高了系统可靠性。
  再者,该器件具有强大的数据保护机制。支持软件和硬件双重写保护功能,可通过设置特定命令序列锁定部分或全部存储块,防止误写或恶意篡改。同时,内置的块擦除挂起功能允许在执行长时间擦除操作期间临时中断,进行高优先级的读取操作,极大增强了系统的实时响应能力。
  此外,JS28F256M29EWHB TR 具备卓越的环境适应性。工作温度范围覆盖工业级-40°C至+85°C,确保在极端温度条件下仍能稳定运行。其封装采用TSOP-56形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于振动频繁或温差较大的应用场景。所有引脚均符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,符合现代绿色电子制造要求。
  最后,该芯片支持完整的命令集架构,包括自动选择、查询队列状态、批量擦除、安全删除等功能,便于开发人员进行底层驱动开发和系统调试。其兼容JEDEC标准的接口协议也使得移植和替换更加便捷,降低了产品升级过程中的技术风险。

应用

JS28F28F256M29EWHB TR 被广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在工业自动化中,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程IO模块中存储固件、配置参数和实时操作系统(RTOS)镜像,其快速启动能力和抗干扰性能确保控制系统迅速响应。在网络通信设备如路由器、交换机和基站控制器中,该芯片用于存放Bootloader、操作系统映像和配置文件,其高耐久性和长期数据保持能力保障了设备在频繁重启和长时间运行下的稳定性。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘控制模块和ADAS(高级驾驶辅助系统)的主控单元中,存储启动代码和关键算法程序。由于其通过AEC-Q100可靠性测试(或类似等级认证),能够在车辆运行过程中承受剧烈振动和温度波动,确保行车安全。此外,在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中,该芯片用于存储诊断软件和校准数据,其高可靠性和数据完整性保护机制符合医疗行业严格的合规要求。
  军事与航空航天领域也常采用此类高性能NOR Flash,用于雷达信号处理板、飞行控制计算机和卫星通信终端中,执行关键任务代码的加载与执行。得益于其宽温工作范围和抗辐射设计(在特定版本中),能够在极端环境下长期服役。此外,该芯片还适用于POS终端、智能电表、安防监控设备等消费类工业产品,作为主要的非易失性存储介质,支撑设备的正常启动和运行。

替代型号

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
  IS28F256L29BWH-T

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JS28F256M29EWHB TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8,16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页110ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP