时间：2025/12/29 14:17:13
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BUZ45A 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高电流和高电压能力的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。这款MOSFET采用了先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种高功率密度设计。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600 V
最大漏极电流（ID）：23 A
导通电阻（RDS(on)）：0.28 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：47 nC
功耗（PD）：140 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
BUZ45A 具有出色的电气性能和高可靠性。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下最小的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件支持高达600V的漏源电压，能够适应高电压工作环境，同时具备强大的过载和短路保护能力。
BUZ45A 的高开关速度使其非常适合用于高频开关应用，如电源供应器和DC-DC转换器。此外，该MOSFET采用了TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件的使用寿命。
该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，同时简化了驱动电路的设计。其耐用性和稳健的结构设计使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。
BUZ45A 主要用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的开关性能和高耐压特性，该MOSFET在太阳能逆变器和电动车充电系统中也有广泛应用。
IRF840, FDPF840, STP8NM60, BUZ45
