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BZX84C18LT1G 发布时间 时间：2022/12/29 14:32:36 查看 阅读：414

    齐纳击穿电压Vz最小值(V):16.800

    齐纳击穿电压Vz典型值(V):18

    齐纳击穿电压Vz最大值(V):19.100


目录

概述

    齐纳击穿电压Vz最小值(V):16.800

    齐纳击穿电压Vz典型值(V):18

    齐纳击穿电压Vz最大值(V):19.100

    @Izt(mA):5

    齐纳阻抗Zzt(Ω):45

    最大功率PMax(W):0.225

    芯片标识:Y6

    封装/温度(℃):SOT-23/-65~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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BZX84C18LT1G产品

BZX84C18LT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)18V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 12.6V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大225mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)45 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 其它名称BZX84C18LT1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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