类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：17 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：70 A
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.11 Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　工作温度范围：-55 ~ +150 ℃
　　输入电容（Ciss）：800 pF
　　输出电容（Coss）：260 pF
　　反向恢复时间（trr）：50 ns
　　封装形式：TO-220

BUZ35A作为一款经典的N沟道功率MOSFET，具备出色的电气性能与稳定性，特别适用于中高功率开关应用。其最大的特性之一是具备高达100V的漏源击穿电压（V(BR)DSS），使其能够在多种直流电源系统中安全运行，例如12V、24V甚至48V工业电源环境中，有效防止因电压瞬变或负载突变导致的器件击穿问题。
　　其次，该器件的连续漏极电流可达17A，脉冲电流更可达到70A，表明其在短时间内能承受较大的电流冲击，非常适合用于电机启动、电磁阀驱动或大功率LED闪光控制等需要瞬时大电流的应用场景。这种高电流处理能力结合150W的最大功耗散热能力，使得BUZ35A在没有强制风冷的情况下也能通过加装散热片实现良好热管理。
　　另一个重要特性是其较低的导通电阻Rds(on)，典型值为0.11Ω。这一参数直接影响到导通状态下的功率损耗（I2R损耗），低Rds(on)意味着更高的转换效率和更少的热量产生，从而提高系统能效并延长器件寿命。此外，BUZ35A的阈值电压范围为2.0V至4.0V，允许使用常见的逻辑电平（如5V TTL或微控制器GPIO）进行驱动，但在实际应用中为了确保完全导通并降低导通电阻，通常推荐使用10V左右的栅极驱动电压。
　　该器件还具有较快的开关速度，输入电容和输出电容分别为800pF和260pF，配合适当的驱动电路可实现高频PWM控制，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等高频应用场景。其反向恢复时间约为50ns，虽然不如超快恢复二极管那样极致，但对于多数非谐振拓扑已足够。TO-220封装不仅便于安装散热器，也支持通孔焊接，增强了机械强度和热传导能力，适合工业级应用环境。

BUZ35A广泛应用于各类需要中高功率开关控制的电子系统中。一个典型的应用是在开关模式电源（SMPS）中作为主开关管使用，利用其高耐压和低导通电阻特性实现高效的能量转换。在DC-DC升压或降压变换器中，BUZ35A可用于控制电感储能与释放过程，尤其适用于12V转24V或48V的车载电源系统。
　　在电机驱动领域，BUZ35A常被用作H桥电路中的功率开关元件，驱动直流电机正反转或调速控制。由于其能够承受电机启动时的大电流冲击，因此在自动化设备、机器人、电动工具中均有应用实例。此外，在继电器或电磁阀的驱动电路中，BUZ35A可以替代传统的双极型晶体管，提供更快的响应速度和更低的驱动功耗，避免了基极电流损耗问题。
　　照明控制系统也是其重要应用方向之一，特别是在大功率卤素灯、LED阵列的开关或调光电路中，BUZ35A可通过PWM信号实现精确亮度调节。由于灯具负载在冷态下可能呈现短路特性，要求开关器件具备较强的浪涌电流承受能力，而BUZ35A恰好满足这一需求。
　　在工业控制与电源分配系统中，BUZ35A可用于构建智能电源开关模块，实现远程上电/断电控制，提升系统的自动化水平。此外，它也被用于逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路等场合。得益于其TO-220封装的良好散热性能和较高的可靠性，BUZ35A在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行，因此在汽车电子、工业自动化、通信电源等领域得到了长期而广泛的应用。