BUX98B 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于高功率开关电路和工业设备中。这款器件采用了先进的技术,确保了在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。BUX98B 的封装形式为 TO-247,便于散热并适用于高功率应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):15A
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
输入电容(Ciss):1200pF
输出电容(Coss):400pF
反向恢复时间(trr):未指定
栅极电荷(Qg):60nC
BUX98B 具备多项优异特性,确保其在各种高功率应用中的稳定性和可靠性。首先,它的漏源电压额定值为 500V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源和工业设备。漏极电流的额定值为 15A,能够在较大电流条件下稳定工作。
该器件的导通电阻 Rds(on) 为 0.38Ω,虽然与现代低 Rds(on) MOSFET 相比略高,但在高压应用中仍然具有良好的效率表现。此外,BUX98B 的栅极电荷为 60nC,意味着在开关过程中需要较大的驱动电流,适用于中低频开关应用。
其封装形式为 TO-247,具有良好的热性能,便于安装散热片,适用于高功率密度的设计。BUX98B 的输入电容为 1200pF,输出电容为 400pF,这影响了其开关速度和驱动需求。由于没有内置快速恢复二极管,因此在需要反向电流续流的应用中需额外配置续流二极管。
该 MOSFET 在高温环境下仍能保持良好的工作性能,其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合在恶劣工业环境中使用。此外,BUX98B 具有较高的耐用性和长期稳定性,是工业电源、电机控制和高电压开关电路中的理想选择。
BUX98B 通常应用于需要高电压和中等电流的功率开关场合。例如,在开关电源(SMPS)中,它可作为主开关器件,用于 DC-DC 转换或 AC-DC 整流后的功率开关。在电机控制电路中,BUX98B 可用于驱动直流电机或作为 H 桥结构的一部分,实现电机的正反转控制。
此外,该器件也适用于逆变器设计,如不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中的功率开关部分。在工业自动化系统中,BUX98B 可用于控制高功率负载,如加热元件、电磁阀和继电器驱动电路。
由于其高耐压特性,BUX98B 还可用于高电压测试设备、高压电源供应器和高压放电电路中。在音频功率放大器中,该器件可用于电源开关或作为功率输出级的一部分,提供高稳定性和音质表现。
STP15NK50Z, IRFBC30, FQA16N50, 2SK2646