时间：2025/9/7 11:28:55
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2SK1838L-E 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。这款MOSFET设计用于在高频率和高电流条件下工作，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：约25mΩ（典型值，取决于Vgs）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
2SK1838L-E 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件在高电流条件下表现优异，适用于需要高功率密度的设计。
此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其快速开关特性降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
该器件采用TO-252封装，便于散热并简化了PCB布局设计。该封装形式广泛应用于工业电源和消费类电子产品中。
2SK1838L-E 的栅极驱动电压范围较宽（通常为+10V至+20V），允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。
2SK1838L-E 常用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路。由于其高效的导通性能和良好的热管理能力，该器件也适用于电池供电设备和节能型电源适配器。
在工业自动化和控制系统中，它被用于驱动继电器、电磁阀和小型电机。此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动电路和逆变器系统中。
由于其紧凑的封装和高性能，2SK1838L-E 也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和电池管理系统。
SiHH15N60EF、FDP15N60、2SK2545、2SK2546、2SK2547
