BUX41N 时间：2025/7/23 6:36:15 阅读：5

BUX41N是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大器、开关电源和电机控制等高功率应用。这种晶体管具备高电流和高电压的承受能力，适合于需要高效能和高稳定性的电子系统中。BUX41N以其卓越的热稳定性和低导通电阻而著称，使其在复杂的电气环境中依然能够提供可靠的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：80V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：40A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

BUX41N的主要特性包括其优异的导通性能和快速开关特性。由于其低导通电阻，BUX41N在工作时能够显著减少功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高电流承受能力使其适用于需要大功率输出的应用场景，如电源转换器和电机驱动器。BUX41N还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下持续运行，而不会出现性能下降或可靠性问题。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电路的工作频率。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路设计中。

应用

BUX41N常用于多种高功率电子设备和系统中。例如，它广泛应用于开关电源（SMPS）中，作为主要的功率开关元件，以实现高效的能量转换。在电机控制领域，BUX41N可以作为驱动电路的核心器件，提供稳定且高效的电流控制。此外，它还被用于逆变器、充电器和DC-DC转换器等电力电子设备中。在音频放大器设计中，BUX41N也常被用作功率输出级，以提供高保真的音频信号放大。