BUS24B 时间：2025/12/27 21:36:18 阅读：24

BUS24B是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场截止工艺设计，能够在较低的导通电阻和开关损耗之间实现良好平衡，从而提升整体系统效率。BUS24B主要面向工业控制、消费类电子设备、照明电源以及DC-DC转换器等应用场合。其封装形式为TO-220AB或类似通孔封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于需要较高功率密度和可靠性的场景。该MOSFET在设计上优化了雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态电压冲击下的鲁棒性，适合在恶劣电气环境中长期运行。
　　BUS24B的关键优势之一是其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得它在高频开关应用中表现优异，能够减少驱动损耗并提高开关速度。同时，该器件具有较宽的安全工作区（SOA），支持较高的漏源电压和持续电流，确保在重载或瞬态负载条件下仍能稳定工作。由于其标准化封装和引脚兼容性，BUS24B可作为多种传统MOSFET的升级替代品，在不更改PCB布局的情况下实现性能提升。

参数

型号：BUS24B
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：7.5 A
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　导通电阻Rds(on)：0.22 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：950 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：180 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：—
　　工作温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220AB

特性

BUS24B具备出色的电气特性和热稳定性，其核心特性之一是低导通电阻Rds(on)，典型值仅为0.22Ω，在600V耐压等级的MOSFET中属于较高效率水平。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流持续工作的应用场景中，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。该器件采用优化的硅片设计，在保证高击穿电压的同时实现了较低的晶圆厚度和更高的载流子迁移率，从而在性能与可靠性之间取得良好平衡。
　　另一个关键特性是其低栅极电荷（Qg），典型值约为30nC，这直接减少了驱动电路所需的能量，使得控制器可以使用更小的驱动能力IC，降低系统成本。此外，低输入电容（Ciss）和快速开关响应能力使BUS24B非常适合用于高频PWM控制电路，如开关电源（SMPS）、PFC（功率因数校正）级和LLC谐振转换器等拓扑结构。相比同类产品，BUS24B在开关过程中表现出更低的交叠损耗和更短的过渡时间，进一步提升了转换效率。
　　从可靠性角度看，BUS24B经过严格的质量认证，符合AEC-Q101标准的部分测试要求，并具备高抗雪崩能力（Unclamped Inductive Switching, UIS）。这意味着即使在突发的电感性负载断开或电压尖峰情况下，器件也能承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏。这种耐用性使其特别适用于电机驱动、电磁阀控制和工业电源等对安全性和寿命要求较高的领域。此外，TO-220封装提供了优良的热传导路径，可通过外接散热片将热量有效传递至环境，确保长时间高负荷运行时结温处于安全范围内。

应用

BUS24B广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管或同步整流器件使用。其600V的额定电压使其适用于通用输入电压范围（85–265V AC）的离线式电源设计，常见于电视、显示器、LED驱动电源和适配器等消费类电子产品。在这些应用中，BUS24B凭借其低导通损耗和快速开关特性，能够有效提升电源效率并满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准要求。
　　在工业自动化和控制系统中，BUS24B常被用于继电器驱动、电机控制模块和PLC输出级电路中，作为功率开关元件控制负载通断。其高耐压能力和过载容忍度确保在电网波动或感性负载反电动势冲击下仍能可靠运行。此外，在照明系统特别是高压LED路灯和隧道灯电源中，BUS24B可用于恒流驱动电路中的功率调节部分，实现高效稳定的光输出控制。
　　该器件也适用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池充电器等新能源相关设备。在这些系统中，功率转换效率和长期运行稳定性至关重要，而BUS24B的低损耗和高可靠性正好满足这些需求。同时，由于其封装形式为标准TO-220，便于手工焊接和维护，因此在原型开发、中小批量生产和维修替换中具有很高的实用性。