BUR50 时间：2025/7/23 21:28:02 阅读：10

BUR50是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。BUR50采用TO-220AB封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

BUR50的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在VGS=10V时的RDS(on)典型值为0.38Ω，能够在高电流条件下保持较低的压降和发热。
　　其次，BUR50具有较高的耐压能力，最大漏源电压为500V，适用于中高压功率应用。这使其在开关电源、工业控制和电机驱动等场合中表现出色。
　　此外，BUR50的连续漏极电流额定值为15A，能够支持较高的负载能力，满足高功率密度设计的需求。该器件还具备良好的热稳定性和过热保护能力，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　该MOSFET采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在多种PCB布局中使用。同时，该封装形式也便于安装散热片以增强热管理能力。

应用

BUR50广泛应用于各类电力电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统、电机驱动器和负载开关电路。
　　在开关电源中，BUR50作为主开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，再通过变压器进行电压变换，从而实现高效的能量转换。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供稳定的输出电压，适用于通信设备、服务器电源和嵌入式系统供电。
　　在工业控制系统中，BUR50可用于控制电机、继电器和电磁阀等负载，实现高可靠性的开关操作。
　　此外，该器件还可用于LED照明驱动、电池充电器和逆变器等应用，展现出良好的适应性和稳定性。